NOR Flash 和 EEPROM 均为非易失性存储器（断电数据不丢失），核心差异集中在擦写粒度、读写特性、容量 / 成本与适用场景上：NOR 侧重代码存储与直接执行 (XIP)，EEPROM 擅长小批量、频繁、字节级数据更新。
一、核心擦写机制差异
| 特性 | NOR Flash | EEPROM |
| 擦除方式 | 块级擦除（KB~MB 级），写入前必须先擦除整个块 | 字节级擦除，可单独修改任意字节，无需预擦除整个区域 |
| 写入机制 | 先擦后写，擦除和写入速度较慢，存在 "写放大" 问题 | 直接字节覆盖，操作灵活，适合频繁小数据修改 |
| 结构基础 | 单晶体管存储单元，并联设计，独立寻址 | 双晶体管结构（存储管 + 选择管），电路更复杂 |
| 隧道氧化层 | 较厚（10-12nm），提高耐用性 | 较薄（~9nm），便于单字节操作 |
二、性能与可靠性对比
| 性能指标 | NOR Flash | EEPROM |
| 读取速度 | 极快（接近 RAM），支持随机访问，可直接执行代码 (XIP) | 一般，随机访问但速度低于 NOR Flash |
| 写入 / 擦除速度 | 慢（块级操作耗时） | 字节操作相对较快，但整体带宽低于 NOR 批量写入 |
| 擦写寿命 | 1 万～10 万次 | 10 万～100 万次，耐用性显著更高 |
| 数据保留 | 10 年以上，与 EEPROM 相当 | 10 年以上，非易失性存储基本特性 |
三、容量、成本与集成度
| 维度 | NOR Flash | EEPROM |
| 典型容量 | 1MB~2GB，适合中等容量代码存储 | KB 级～几 MB，容量较小 |
| 存储密度 | 较低（单晶体管但并联结构占用面积大） | 更低（双晶体管结构，单位面积存储量少） |
| 单位成本 | 较高（容量 / 价格比不及 NAND Flash） | 更高（小容量、高复杂度导致） |
| 集成方式 | 多为独立芯片，也可嵌入式集成 | 常作为 MCU 片上外设（如 STM32 的 Flash+EEPROM） |
四、应用场景划分
NOR Flash 适用场景：
嵌入式系统启动代码 (bootloader)、BIOS、固件存储
需要 ** 直接执行代码 (XIP)** 的场景，CPU 可直接从 NOR 运行程序，无需加载到 RAM
中等容量、不频繁更新的代码或配置数据
对读取速度要求高，写入操作相对较少的应用
EEPROM 适用场景：
配置参数、校准数据、设备 ID等需频繁修改的小量数据
智能卡、传感器、工业控制中的状态信息存储
掉电保护的关键系统参数（如设备运行时间、故障记录）
替代传统电池供电的 SRAM，实现无电池数据保存
五、技术演进与现状
NOR Flash：
随嵌入式系统发展，仍是固件存储首选
与 NAND Flash 互补，形成 "NOR+NAND" 存储架构（NOR 存代码，NAND 存数据）
部分新型 NOR 支持更灵活的扇区擦除，缩小与 EEPROM 的操作粒度差距
EEPROM：
片上集成趋势明显，多数现代 MCU 内置 EEPROM 或模拟 EEPROM 功能
高端应用中部分被 FRAM（铁电存储器）替代，FRAM 兼具 EEPROM 的字节操作和 RAM 的读写速度
选型决策理由推荐：
| 需求类型 | 优先选择 | 理由 |
| 存储程序代码并直接执行 | NOR Flash | 读取速度快，支持 XIP，适合固件启动 |
| 频繁修改小量配置数据 | EEPROM | 字节级操作，高擦写寿命，无需块擦除 |
| 中等容量（>1MB）存储 | NOR Flash | 容量上限更高，成本更优 |
| 极低功耗、小体积 | EEPROM | 片上集成，无需额外芯片，功耗更低 |
| 高可靠性、长寿命 | EEPROM | 擦写次数比 NOR 高 10 倍以上 |
