M56Z2G16128A-TNBYG2R

产品型号：M56Z2G16128A-TNBYG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-25°C至+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：1.8V

规格封装：200 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M56Z2G16128A(2R) 16M x 16 Bit x 8 Banks LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

ESMT(晶豪科技)M56Z2G16128A-TNBYG2R芯片特色：

超低压核心和I/O电源

–VDD1=1.70–1.95伏；标称1.80V

–VDD2=1.06–1.17V；1.10V标称电压

–VDDQ=1.06–1.17V；1.10V标称电压或低VDDQ=0.57–0.65V；标称电压0.60V

阵列配置

–128兆×16（1个通道×16个输入/输出）

设备配置

–128M16×1裸片封装

16n预取DDR架构

每个渠道有8个internal banks可同时操作

单数据速率CMD/ADR条目

每字节通道双向/差分数据选通

可编程读写延迟（RL/WL）

可编程和实时脉冲串长度（BL=16,32）

指导每个banks的刷新，以实现并发银行操作和易于命令调度

每个芯片高达8.5 GB/s

控制自刷新率的片上温度传感器

部分阵列自刷新（PASR）

可选输出驱动强度（DS）

时钟停止功能

符合RoHS标准的“绿色”包装

可编程VSS（ODT）终端

单端CK和DQS支持

速度等级、循环时间

–535ps@RL=32/36

–468ps@RL=36/40

工作温度范围

-25°C至+85°C

SDRAM寻址下表显示了封装中使用的2 Gb单通道管芯配置

热卖产品

欢迎光临深圳市微效电子有限公司官网！

咨询热线：

18018709888

M56Z2G16128A-TNBYG2R

其他介绍

代理品牌

产品中心

新闻动态

关于我们

售后服务

联系我们