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M16U4G8512A(2Z) 512 Mb x 8 DDR4 SDRAM
ESMT(晶豪科技)M16U4G8512A-QLBG2Z芯片特色：
电源（JEDEC标准1.2V）
-VDD=VDDQ=1.2V±5%
-VPP=2.375V至2.75V
16 internal banks
-4组，每组4个banks（x8）
差分时钟输入（CK_t和CK_c）
双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
支持终端数据选通（仅限x8）
（TDQS_t和TDQS_c）
支持异步复位（reset_n）
通过与外部进行比较对输出驱动器进行ZQ校准
参考电阻（RZQ 240欧姆±1%）
标称、驻车和动态模内端接（ODT）
DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐
在每个正CK边上输入的命令
CAS潜伏时间（CL）：9，11，12，13，14，15，16，18，19，20，21，
22, 23, 24
支持加性延迟（AL）0、CL-1和CL-2
爆裂长度（BL）：8和4，带爆裂斩波（BC）
CAS写入延迟（CWL）：9、10、11、12、14、16、18、20
刷新周期
平均刷新周期
-0°C时7.8μs≤TC≤+85°C
-+85°C下3.9μs<TC≤+95°C
支持细粒度刷新
可调内部生成VREFDQ
伪开放式排水（POD）数据接口输入输出设备
MRS选择的驱动器强度
8位预取的高速数据传输
温度控制刷新（TCR）模式为支持
低功耗自动自刷新（LP ASR）模式为支持
支持自刷新中止
支持可编程前导码
支持写水平
支持命令/地址延迟（CAL）
多用途寄存器读写功能
命令/地址的命令地址（CA）奇偶校验
信号错误检测并通知控制器
写入DQ错误的循环冗余码（CRC）
高速运行时检测并通知控制器行动
提高功率的数据总线逆变（DBI）
存储器的消耗和信号完整性
接口（仅限x16产品）
用于写入数据的数据掩码（DM）
每个DRAM的可寻址性（PDA）
分别设置不同的模式寄存器值，以及有个人调整。
支持减速模式（1/2和1/4速率）
支持PPR和sPPR
连接测试（仅x16）
最低功率的最大断电模式
无内部刷新活动的消费
符合JEDEC JESD-79-4标准
工作箱温度范围：TC=0°C至+95°C
Data Rate (CL-tRCD-tRP)：DDR4- 3200 (24-24-24)
现货库存
现货SKU
不断扩充中
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