M16U8G16512A-JJBG2C

产品型号：M16U8G16512A-JJBG2C

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C to +95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：8Gbit

电压-电源：1.2V

规格封装：96 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M16U8G16512A(2C) 512 Mb x 16 DDR4 SDRAM

ESMT(晶豪科技)M16U8G16512A-JJBG2C芯片特点：

VDD=VDDQ=1.2V±60mV

VPP=2.5V、-125mV、+250mV

片上、内部、可调VREFDQ生成

1.2V伪漏极输入/输出

TC温度范围内8192循环的刷新时间：

0°C至85°C时为64毫秒

在85°C至95°C的温度范围内，持续32毫秒

8家内部银行（x16）：2组，每组4家银行

8n位预取架构

可编程数据选通前导码

数据选通前导训练

命令/地址延迟（CAL）

多用途寄存器读写功能

写入均衡

自刷新模式

低功耗自动自刷新（LPASR）

温度控制刷新（TCR）1

细粒度刷新

自刷新中止

最大限度地节省电力

输出驱动器校准

标称、驻车和动态管芯端接（ODT）

数据总线的数据总线反转（DBI）

命令/地址（CA）奇偶校验

数据总线写循环冗余校验（CRC）

每DRAM可寻址性

连通性测试

符合JEDEC JESD-79-4标准

sPPR和hPPR能力

MBIST-PPR支持

工作箱温度范围：TC=0°C至+95°C

注：1。在扩展的温度范围（85°C至95°C）内不支持温度控制刷新（TCR）。

Data Rate (CL-tRCD-tRP):DDR4- 2666 (18-18-18)

M16U8G16512A-JJBG2C芯片描述：

DDR4 SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为x16的八存储体DRAM配置，并作为x4和x8配置的16存储体DRAM。

DDR4 SDRAM使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构被组合在一起其接口设计为在I/O引脚处每个时钟周期传输两个数据字。

DDR4 SDRAM的单个读取或写入操作包括在内部DRAM内核和I/O引脚处的两个相应的n位宽、半时钟周期的数据传输。

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