M15T2G16128A–DEBG2Y

产品型号：M15T2G16128A–DEBG2Y

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C to +95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：1.35V/1.5V

规格封装：96 ball BGA

M15T2G16128A(2Y) 16M x 16 Bit x 8 Banks DDR3(L) SDRAM

ESMT(晶豪科技)M15T2G16128A–DEBG2Y芯片特点：

VDD=VDDQ=1.35V（1.283–1.45V）

向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

差分双向数据选通

8n位预取架构

差分时钟输入（CK、CK#）

8家内部银行

标称和动态管芯端接（ODT）

用于数据、选通和屏蔽信号

可编程CAS（读取）延迟（CL）

可编程发布CAS附加延迟（AL）

可编程CAS（写入）延迟（CWL）

固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4

（通过模式寄存器组[MRS]）

可选择的BC4或BL8即时（OTF）

自刷新模式

自刷新温度（SRT）

自动自刷新（ASR）

写入均衡

多用途寄存器

输出驱动器校准

Data Rate (CL-tRCD-tRP)：DDR3(L)-1866 (13-13-13)

M15T2G16128A–DEBG2Y说明：

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参阅DDR3（1.5V）SDRAM数据表规格。

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