F59D4G81KA-45BCG2R

产品型号：F59D4G81KA-45BCG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+55°C

用途：快闪记忆体

存储容量：4Gbit

电压-电源：1.7V~1.95V

规格封装：63 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

F59D4G81KA(2R) 4 Gbit (512M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59D4G81KA-45BCG2R特征

电压供应

VCC:1.8伏（1.7伏~1.95伏）

组织

页面大小：（4K+256）字节

数据寄存器：（4K+256）字节

块大小：64页=（256K+16K）字节

飞机数量：1

每个芯片的块数（LUN）=2048

自动编程和擦除

页面程序：（4K+256）字节

块擦除：（256K+16K）字节

页面读取操作

随机读取：25us（最大）

读取周期：45ns

写周期时间

页面编程时间：400us（典型值）

700us（最大）

块擦除时间：3.5毫秒（典型值）

10ms（最大）

1比特/单元

命令/地址/数据多路DQ端口

硬件数据保护

电源转换期间的编程/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术

符合JESD47K规范

ECC要求：8位/512字节

耐久性：60K-P/E循环时间

未循环数据保留：在55°C下实时使用10年

命令注册操作

同一页中的部分程序循环数（NOP）：4

通电时自动读取页面0选项

从NAND启动支持

自动内存下载

高性能程序的缓存程序操作

缓存读取操作

复制回操作

EDO模式

页面复制

F59D4G81KA-45BCG2R一般说明

该设备具有4352字节的静态寄存器，允许程序和读取数据在寄存器和存储器之间传输以4352字节为增量的单元阵列。擦除操作以单个块为单位（256KB+16K字节）实现。

该设备是一种存储器设备，它利用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。这个擦除和编程操作会自动执行，使设备最适合固态文件等应用程序用于静态相机和其他需要高密度非易失性存储数据的系统的存储、语音记录、图像文件存储器存储。

欢迎光临深圳市微效电子有限公司官网！

咨询热线：

18018709888

F59D4G81KA-45BCG2R

其他介绍

代理品牌

产品中心

新闻动态

关于我们

售后服务

联系我们