F59L8G81XA-25BG2Y

产品型号：F59L8G81XA-25BG2Y

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：8Gbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：63 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

F59L8G81XA(2Y) 8 Gbit (1Gb x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59L8G81XA-25BG2Y芯片特征

工作电压范围：VCC:2.7–3.6V

开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0兼容1

单层电池（SLC）技术

组织页面大小：4320字节（4096+224字节）

块大小：64页（256K+14K字节）

平面尺寸：2个平面x每个平面2048个块

设备大小：4096块

异步I/O性能

tRC/tWC:25ns

阵列性能

-读取页数：25μs

程序页面：200μs（TYP）

擦除块：3ms（典型）

命令集：ONFI NAND闪存协议

高级命令集

程序页面缓存模式

读取页面缓存模式

一次性可编程（OTP）模式

可编程驱动器强度

两个飞机指令

多芯片（LUN）操作

读取唯一ID

内部数据移动

操作状态字节提供软件方法发现

操作完成

通过/失败条件

写保护状态

就绪/忙碌#（R/B#）信号提供了一种硬件方法检测操作完成情况

WP#信号：写保护整个设备从发货时，第一个区块（区块地址00h）有效ECC工厂。有关所需的最小ECC，请参阅错误管理。

通电后需要RESET（FFh）作为第一个命令上电后设备初始化的替代方法

平面内支持的内部数据移动操作从中读取数据质量和可靠性

耐久性：60000个程序/擦除周期

数据保留：符合JESD47G标准；见资格汇报

工作温度

商用：0°C至+70°C

F59L8G81XA-25BG2Y一般说明

NAND闪存设备包括用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用高度多路复用8位总线（I/O），用于传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于执行异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。附加信号控制硬件写保护和监控设备状态（R/B#）。

该硬件接口创建了一个低引脚数的设备，其标准引脚输出从一个密度到另一个密度保持不变，无需重新设计电路板，即可在未来升级到更高的密度。

目标是芯片使能信号访问的存储器单位。目标包含一个或多个NAND闪存管芯。NAND闪存芯片能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在ONFI规范中，NAND闪存芯片是称为逻辑单元（LUN）。每个芯片至少有一个NAND闪存芯片启用信号。有关更多详细信息，请参阅设备和阵列组织

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