M15T8G16512A-BDBG2S

产品型号：M15T8G16512A-BDBG2S

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：

用途：快闪记忆体

存储容量：8Gbit

电压-电源：1.35V/1.5V

规格封装：96 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M15T8G16512A-BDBG2S 64M x 16 Bit x 8 Banks DDR3(L) SDRAM

M15T8G16512A-BDBG2S特色

接口和电源

˗SSTL-135:VDD/VDDQ=1.35V（-0.067V/+0.1V）

˗SSTL_15:VDD/VDDQ=1.5V（±0.075V）

符合JEDEC DDR3（L）标准

˗8n预取架构

˗差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS）

˗DQ、DQs和DM的数据速率加倍

 数据完整性

˗自动刷新和自刷新模式

省电模式

˗部分阵列自刷新（PASR）

˗断电模式

 信号完整性

˗可配置DS以实现系统兼容性

˗可配置的管芯端接

˗通过以下方式校准DS/ODT阻抗精度的ZQ

外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）

信号同步

˗通过MR设置写入电平

˗通过MPR读取电平

可编程功能

●CAS延迟（5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16）

？CAS写入延迟（5/6/7/8/9/10/11/12）

˗加性潜伏期（0/CL-1/CL-2）

˗写入恢复时间（2016年5月6日至7月8日至10月12日至14日）

˗突发类型（顺序/交错）

˗突发长度（BL8/BC4/BC4或8在飞行中）

˗自刷新温度范围（正常/扩展）

˗输出驱动器阻抗（34/40）

˗RTT_Nom的模具终止（20/30/40/60/120）

˗RTT_WR（60/120）的模内终止

˗预充电断电（慢/快）

Data Rate (CL-tRCD-tRP)：DDR3(L)-1600 (11-11-11)

M15T8G16512A-BDBG2S描述

8Gb双数据速率3（DDR3（L））DRAM是实现高速操作的双数据速率架构。它是内部配置为八存储体DRAM。

8Gb芯片由64Mbit x 16个I/O x 8个存储体设备组成。这些同步设备实现了高速对于一般应用，双数据速率传输速率高达2133Mb/sec/pin。

该芯片的设计符合DDR3（L）DRAM的所有关键特性，所有控制和地址输入都是与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟（CK）的交叉点处被锁定上升和确认下降）。所有I/O都以源同步方式与差分DQS对同步。

这些器件使用单个1.35V-0.067V/+0.1V或1.5V±0.075V电源运行，并采用BGA封装。

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