M14D5121632A-2.5BG2M

产品型号：M14D5121632A-2.5BG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：1.8V

规格封装：84 ball BGA A(max) = 1.2mm

说明书：点击下载

其他介绍

M14D5121632A(2M) 8M x 16 Bit x 4 Banks DDR II SDRAM

M14D5121632A-2.5BG2M特征

JEDEC标准

VDD=1.8V±0.1V，VDDQ=1.8V？.1V

内部流水线双数据速率架构；每个时钟周期两次数据访问

双向差分数据选通（DQS、DQS）；

DQS

可以禁用单端数据选通操作。

片上DLL

差分时钟输入（CLK和CLK）

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

四方银行业务

CAS延迟：3、4、5、6、7、8、9

加性延迟：0、1、2、3、4、5、6、7

突发类型：顺序和交错

爆裂长度：4，8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟（CLK）的上升沿采样

数据选通（DQS）两侧的数据I/O转换

DQS与READ数据边缘对齐；中心与WRITE数据对齐

数据掩码（DM）仅用于写掩码

片外驱动器（OCD）阻抗调整

提高信号质量的管芯端接

特殊功能支持

-50/75/150欧姆ODT

-高温自刷新率启用

-占空比校正器

-部分阵列自刷新（PASR）

自动和自刷新

刷新周期：

-0℃≤TC≤+85℃时8192个周期/64ms（7.8μs刷新间隔）

-+85℃＜TC≤+95℃时8192个周期/32ms（3.9μs刷新间隔）

SSTL_18接口

如果tCK<1.875ns，则设备无法支持带自动预充电功能的写入。

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M14D5121632A-2.5BG2M

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