M13S5121632A-6TG2T

产品型号：M13S5121632A-6TG2T

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：2.5V

规格封装：66 pin TSOPII

M13S2561616A(2T) 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM DDR SDRAM

M13S5121632A-6TG2T特征：

双倍数据速率架构，每个时钟周期两次数据传输

双向数据选通（DQS）

差分时钟输入（CLK和时钟)

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

四银行业务

CAS延迟：2, 2.5, 3

突发类型：顺序和交错

爆裂长度：2、4、8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟（CLK）的上升沿采样

数据选通（DQS）两侧的数据I/O转换

DQS与READ的数据边缘对齐；中心与WRITE数据对齐

数据掩码（DM）仅用于写掩码

VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

7.8us刷新间隔

自动和自刷新

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

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