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M13S2561616A(2T)

M13S2561616A(2T)
产品型号:M13S2561616A(2T)
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:0°C~+70°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :256Mbit
电压-电源:2.5V
规格封装:66 pin TSOPII,60 Ball BGA
说明书:点击下载
其他介绍

M13S2561616A(2T) 4M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM DDR SDRAM

M13S2561616A(2T)特征:

双倍数据速率架构,每个时钟周期两次数据传输

双向数据选通(DQS)

差分时钟输入(CLK和时钟)

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

四银行业务

CAS延迟:2, 2.5, 3

突发类型:顺序和交错

爆裂长度:2、4、8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟(CLK)的上升沿采样

数据选通(DQS)两侧的数据I/O转换

DQS与READ的数据边缘对齐;中心与WRITE数据对齐

数据掩码(DM)仅用于写掩码

VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

7.8us刷新间隔

自动和自刷新

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

产品信息列表:

M13S128168A-4TG2S

M13S128168A-4.5TG2s"

M13S128168A-5TG2S

M13S128168A-6TG2S

M13S128168A-4BG2S

M13S128168A-4.5BG2S "

M13S128168A-5BG2S

M13S128168A-6BG2S

Speed(mhz):

250MHz (DDR500)

225MHz (DDR450)

200MHz (DDR400)

166MHz (DDR333)

250MHz (DDR500)

225MHz (DDR450)

200MHz (DDR400)

166MHz (DDR333)

M13S2561616A(2T).png



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