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M13S128168A(2S)

M13S128168A(2S)
产品型号:M13S128168A(2S)
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:0°C~+70°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :128Mbit
电压-电源:2.5V
规格封装:66 pin TSOPII,60 Ball BGA
说明书:点击下载
其他介绍

M13S128168A (2S) 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate  DDR SDRAM

M13S128168A (2S) 特征:

双倍数据速率架构,每个时钟周期两次数据传输

双向数据选通(DQS)

差分时钟输入(CLK和时钟)

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

四银行业务

CAS延迟:2, 2.5, 3

突发类型:顺序和交错

爆裂长度:2、4、8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟(CLK)的上升沿采样

数据选通(DQS)两侧的数据I/O转换

DQS与READ的数据边缘对齐;中心与WRITE数据对齐

数据掩码(DM)仅用于写掩码

VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

15.6us刷新间隔

自动和自刷新

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

产品信息列表:

M13S2561616A-4TG2T

M13S2561616A-5TG2T

M13S2561616A-6TG2T

M13S2561616A-4BG2T

M13S2561616A-5BG2T

M13S2561616A-6BG2T

Speed(mhz):

250 MHz (DDR500)

200 MHz (DDR400)

166 MHz (DDR333)

250 MHz (DDR500)

200 MHz (DDR400)

166 MHz (DDR333)

M13S128168A(2C).png


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