M12L128168A-6TG2S

产品型号：M12L128168A-6TG2S

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：128Mbit

电压-电源：3.3V

规格封装：54 Pin TSOPII

说明书：点击下载

其他介绍

M12L128168A(2S) 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM SDRAM ESMT(晶豪科技)

M12L128168A-6TG2S DRAM SDRAM特征

JEDEC标准3.3V电源

LVTTL兼容多路复用地址

四家银行运营

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（2和3）

-连拍长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交错）

所有输入均在正向边缘处采样

系统时钟

突发读单写操作

DQM用于遮蔽

自动和自刷新

64ms刷新周期（4K周期）

M12L128168A-6TG2S一般说明

M12L128168A是134217728位同步高数据速率动态RAM，组织为4 x 2097152个字乘16位。

同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。每个时钟周期都可以进行I/O事务。

工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于

各种高带宽、高性能存储系统应用。

PIN CONFIGURATION (TOP VIEW) BALL CONFIGURATION (TOP VIEW) (TSOPII 54L, 400milX875mil Body, 0.8mm Pin Pitch) (BGA 54, 8mmX8mmX1mm Body, 0.8mm Ball Pitch)

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M12L128168A-6TG2S

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