EN35QX512A-104HIP2UC

EN35QX512A (2UC) 512 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

EN35QX512A-104HIP2UC Flash SPI NAND 芯片特征

单电源操作

·软件和硬件写保护

全电压范围：2.7-3.6伏

通过写入保护全部或部分内存

● 串行接口架构

软件

SPI兼容：模式0和模式3

高性能编程/擦除速度

● 512 M位串行闪存

页面编程时间：典型0.5ms

512 M位/65536 KB/262144页

扇区擦除时间：典型值40ms

每个可编程页面256字节

典型的半块擦除时间为200ms

块擦除时间通常为300ms

标准、双路或四路SPI

标准SPI：CLK、CS#、DI、DO

芯片擦除时间：典型120秒

双SPI：CLK、CS#、DQo、DQ。

3字节地址和4字节地址切换

四路SPI：CLK、CS#、DQo、DQ、DQz、DQ

易失性状态寄存器位

默认QE=1（四重启用），WP#，HOLD#

● 可锁定3x512字节OTP安全扇区

使伤残

高性能

支持串行闪存可发现参数

（SFDP）签名

2.7-3.6V

单/双/四I/O的104MHz时钟速率

读取唯一ID号

快速读取

最低100K续航周期

● 低功耗

·数据保留时间20年

14 mA典型有功电流

程序包选项

2 pA典型断电电流

8针SOP 200mil机身宽度

·统一扇区架构：

16针SOP 300mil机身宽度

16384个4-KB扇区

8触点VDFN/WSON（6x5mm）

2048个32千字节的块

8触点VDFN/wSON（8x6mm）

1024个64千字节的块

所有无铅封装均符合RoHS标准，无卤素和REACH。

任何扇区或块都可以单独擦除工业温度范围

EN35QX512A-104HIP2UC芯片说明

该设备是一个512兆比特（65536K字节）的串行闪存，具有高级写保护机制。

该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令接口_（SPi）_pins：串行时钟、芯片选择、串行DQo（DI）和DQ:（DO）、DQz（WP#）和DQ（保持#/重置#）。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。

通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其内容，同时kéeping安全保护的内存阵列的剩余块。这在以下应用程序中很有用代码在子例程或模块的基础上或在需要数据存储段的应用程序中进行修补或更新在不对程序代码段进行错误修改的情况下进行修改。

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是被配置为以软件保护模式保护部分存储器。设备扫描维持至少每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期。