EN29LV320CB-70TIP2Y

产品型号：EN29LV320CB-70TIP2Y

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：32Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：48-Ball Thin Fine Pitch Ball Grid Array (TFBGA) 0.80mm pitch, 6mm x 8mm

IC说明书：点击下载

其他介绍

EN29LV320CB-70TIP2Y Flash Parallel NOR芯片介绍：

EN29LV320C (2Y) 32 Megabit (4096K x 8-bit / 2048K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only

特征

 单电源操作

-全电压范围：2.7至3.6伏读数写入操作

 高性能

-访问时间快至70 ns

 低功耗（典型值为5MHz）

-9mA典型有效读取电流

-20mA典型编程/擦除电流

-小于1电流处于待机或自动状态休眠模式

 灵活的部门架构：

-8个8K字节扇区，63个64k字节部门

-8-KB扇区用于顶部或底部引导

-行业组保护：

硬件锁定扇区以防止在单个内存中执行编程或擦除操作部门

此外，临时部门不受保护允许对以前锁定的代码进行更改部门

 安全的硅行业

-为代码或数据提供128个单词的区域它可以被永久保护。

-一旦该部门受到保护，就被禁止再次在扇区内编程或擦除。

 JEDEC标准兼容

 标准数据#轮询和切换位

特色

 擦除挂起/恢复模式：

在以下期间阅读并编程另一个部门擦除挂起模式

 支持JEDEC通用闪存接口

（CFI）。

 低Vcc写抑制<2.5V

 最低100K编程/擦除耐久性循环

 RESET#硬件复位引脚

-将设备重置为读取的硬件方法模式

 WP#/ACC输入引脚

-写保护（WP#）功能允许

保护最外层的两个引导扇区，

无论部门保护状态如何

-加速（ACC）功能提供

加速程序时间

 程序包选项

-48针TSOP（1型）

-48球6mm x 8mm TFBGA

 工业温度范围

 高性能编程/擦除速度

-文字编程时间：典型值为15µs

-扇区擦除时间：典型100ms

-芯片擦除时间：通常为8秒

一般说明

该设备是一个32兆位、电可擦除、读/写非易失性闪存，组织如下4194304个字节或2.097152个字。任何字通常都可以在15µs内编程。设备具有3.0V电压读写操作，访问时间快至70ns，消除了在高性能微处理器系统中需要WAIT状态。该设备具有单独的输出启用（OE#）、芯片启用（CE#）和写入启用（WE#）控制，这消除了总线争用问题。该设备设计为允许单扇区或全扇区芯片擦除操作，其中每个扇区都可以单独保护，防止编程/擦除操作或暂时不受保护的擦除或编程。该设备可以维持至少每个扇区有100K的编程/擦除周期

B = Bottom boot Sector

EN29LV320CB-70TIP2Y

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