EN25QH16B-104HIP2A

产品型号：EN25QH16B-104HIP2A

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：16Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-pin 200 mil SOP

IC说明书：点击下载

其他介绍

EN25QH16B-104HIP2A 芯片产品介绍：

EN25QH16B (2A) 16 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

特征

 单电源操作

-全电压范围：2.3-3.6伏

 串行接口架构

-SPI兼容：模式0和模式3

 16 M位串行闪存

-16 M位/2048 K字节/8192页

-每个可编程页面256字节

 标准、双路或四路SPI

-标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

-双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

-四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

 高性能

-2.3-2.7V

-单/双/四I/O的86 MHz时钟速率

快速读取

-2.7-3.6V

-单/双/四I/O的104 MHz时钟速率

快速读取

-3.0-3.6V

-133 MHz时钟，用于四路I/O快速读取

 低功耗

-5mA典型有功电流

- 1 典型的断电电流

 统一扇区架构

-512个4-KB扇区

-64个32KB的块

-32个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

 软件和硬件写保护

-通过写入保护全部或部分内存

软件

-使用WP#引脚启用/禁用保护

 高性能编程/擦除速度

-页面编程时间：典型值为0.6毫秒

-扇区擦除时间：典型值为50毫秒

-32KB块擦除时间通常为120毫秒

-64KB块擦除时间通常为150毫秒

-芯片擦除时间：通常为6秒

 3 可锁定的512字节OTP安全集

部门

 支持串行闪存可发现参数

（SFDP）签名

 带换行的突发读取（8/16/32/64字节）

 读取唯一ID号

 最低100K续航周期

 数据保留时间20年

 程序包选项

-8针SOP 150 mil机身宽度

-8针SOP 200 mil

-8针VSOP 150 mil

-8针PDIP

-8触点VDFN/WSON（6x5 mm）

-8触点USON（2x3x0.45毫米）

-8触点USON（4x3x0.55毫米）

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

 工业温度范围

 易失性状态寄存器位

一般说明

该设备是一个16兆比特（2048千字节）的串行闪存，具有增强的写保护功能机制。该设备支持标准串行外围接口（SPI）

使用SPI引脚的双/四路输出以及双/四线I/O性能：串行时钟、芯片选择、，

串行DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（HOLD#）。SPI时钟频率高达104MHz支持双输出和416MHz的等效时钟速率为208MHz（104MHz x 2）

使用双/四I/O快速读取指令时，四输出为（104MHz x 4）。内存可以使用页面编程指令一次编程1到256个字节。

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。这个设备可以被配置为以软件保护模式保护部分存储器。该设备可以在每个扇区或块上维持至少100K的编程/擦除周期

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