EN25QX128A-104HIP2V

EN25QX128A-104HIP2V芯片型号介绍：

EN25QX128A（2V）

128兆位3V串行闪存，带4K字节统一扇区

格式-存储器：Flash

封装/规格：

SOIC-8 150mil

温度范围：

-40℃~85℃

系列：

EMST-EON-128M系列

格式-存储器：

Flash

存储类型：

SpiFlash®

存储容量：128MBit 

速度：104MHZ

接口：SPI串行特征

 单电源操作

-全电压范围：2.7-3.6伏

 串行接口架构

-SPI兼容：模式0和模式3

 128 M位串行闪存

-128兆位/16384千字节/665535页

-每个可编程页面256字节

 标准、双路或四路SPI

-标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、，

保持#/重置#

-双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、，

保持#/重置#

-四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

 高性能

-全电压范围

-104MHz时钟速率，适用于单/双/四I/O快速

阅读

-稳压范围：3.0-3.6伏

-133MHz时钟速率，用于四路I/O快速读取

-专用于133MHz零件号

 支持可发现的串行闪存

 参数（SFDP）签名

 低功耗

-6mA典型有功电流

- 1 典型的待机电流

 统一扇区架构：

-4096个4-KB扇区

-512个32千字节的块

-256个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

 软件和硬件写保护

-通过软件写入保护全部或部分内存

-使用WP#引脚启用/禁用保护

 软件和硬件重置

 高性能编程/擦除速度

-页面编程时间：典型0.5ms

-扇区擦除时间：典型值40ms

-典型的半块擦除时间为200ms

-块擦除时间通常为300ms

-芯片擦除时间：典型60秒

-易失性状态寄存器位。

 可锁定的3x512字节OTP安全扇区

 写暂停和恢复

 带换行的突发读取（8/16/32/64字节）

 空白校验位

 读取唯一ID号

 最低100K续航周期

 数据保留时间20年

-套餐选项

-8针SOP 200mil机身宽度

-16针SOP 300mil机身宽度

-8触点VDFN/WSON（6x5mm）

-8触点VDFN/WSON（8x6mm）

-8触点USON（4x4X0.45mm）

-BGA 24球（4x6球栅）

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

 工业温度范围

一般说明

该设备是一个128兆比特（16384K字节）的串行闪存，具有先进的写保护机制。 

该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令

接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3

（保持#/重置#）。支持高达104Mhz的SPI时钟频率，允许532Mhz的等效时钟速率

（133Mhz x 4）用于四路输出，同时使用四路输出读取指令。存储器可编程1

使用页面程序指令一次将数据压缩到256个字节。

该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意攻击

编程和擦除操作。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以

取消对特定块的保护以修改其内容，同时安全地保留内存阵列的其余块

受保护的。这在子程序或模块上修补或更新程序代码的应用程序中很有用

基础或在需要修改数据存储段而不会出现错误风险的应用程序中

对程序代码段的修改。 

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是

被配置为以软件保护模式保护部分存储器。该设备可以维持至少

每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期。