EN29LV800DT

产品型号：EN29LV800DT

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：8Mbit

电压-电源：2.7V - 3.6V

规格封装：48-pin TSOP (Type 1) 48 ball 6mm x 8mm TFBGA

IC说明书：点击下载

其他介绍

EN29LV800D (2A) 系列 8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only

EN29LV800DT

特征

 3.0V、单电源操作

-最小化系统级电源要求

 高性能

-访问时间快至70 ns

 低功耗（5 MHz时的典型值）

-9mA典型有效读取电流

-20mA典型编程/擦除电流

-小于1电流处于待机状态或

自动睡眠模式

 灵活的部门架构：

-一个16K字节，两个8K字节，一个32K字节，

15个64KB扇区（字节模式）

-一个8千瓦，两个4千瓦，一个16千瓦

15个32 Kword扇区（单词模式）

 行业保护：

-硬件锁定扇区以防止

在单个内存中执行编程或擦除操作

部门

-此外，临时部门组

取消保护允许以前的代码更改

锁定的部门。

 安全的硅行业

-为代码或数据提供128个单词的区域

它可以被永久保护。

-一旦该部门受到保护，就被禁止

再次在扇区内编程或擦除。

 高性能编程/擦除速度

-字节/字编程时间：典型值为8µs

-扇区擦除时间：典型100ms

-芯片擦除时间：通常为2秒

 JEDEC标准程序和擦除

命令

 JEDEC标准数据#轮询和切换

比特特征

 单扇区和芯片擦除

 扇区无保护模式

 嵌入式擦除与编程算法

 擦除挂起/恢复模式：

在以下期间阅读并编程另一个部门

擦除挂起模式

 支持JEDEC通用闪存接口

（CFI）

 低VCC写抑制<2.5V

 最低100K编程/擦除耐久性

周期

 数据保留时间20年

 程序包选项

-48针TSOP（1型）

-48球6mm x 8mm TFBGA

 工业温度范围

一般说明

该设备是一个8兆位、电可擦除、读/写非易失性闪存，组织如下

1048576个字节或524288个字。任何字节通常都可以在8µs内编程。该设备的特点

3.0V电压读写操作，访问时间快至70ns，无需等待

高性能微处理器系统中的状态。

该设备具有单独的输出启用（OE#）、芯片启用（CE#）和写入启用（WE#）控制，

这消除了总线争用问题。该设备设计为允许单扇区或全芯片

擦除操作，其中每个扇区都可以单独保护，防止编程/擦除操作，或

暂时不受保护，无法擦除或编程。该设备可以维持至少100K

每个扇区上的编程/擦除周期。

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