F59L2G81KA-25BG2N

产品型号：F59L2G81KA-25BG2N

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：63 ball BGA

说明书：点击下载

产品介绍

F59L2G81KA(2N) 2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技) F59L2G81KA-25BG2N SLC NAND Flash存储芯片特点：

供电电压VCC：3.3V（2.7V～3.6V）

结构配置页面大小：(2K + 128) 字节数据寄存器：(2K + 128) 字节块大小：64 页 = (128K + 8K) 字节每个晶元（LUN）块数：2048

自动编程与擦除页面编程：(2K + 128) 字节块擦除：(128K + 8K) 字节

页面读取操作随机读取：最大 25μs读取周期：25ns

写入周期时间页面编程时间：典型值 400μs，最大值 700μs块擦除时间：典型值 3ms，最大值 10ms

每单元 1bit

命令 / 地址 / 数据复用 DQ 端口

硬件数据保护电源切换期间编程 / 擦除锁定

高可靠性 CMOS 浮栅工艺技术ECC 要求：8bit / 512Byte擦写寿命：50,000 次编程 / 擦除周期非循环数据保存：55℃ 环境下可实时保存 10 年

命令寄存器操作

同一页面内部分编程次数（NOP）：4 次

上电自动读取第 0 页选项支持从 NAND 启动自动存储器加载

高速缓存编程操作，实现高性能编程

高速缓存读取操作

回拷操作

双平面操作

EDO 模式

页面复制

工作温度

商用级：0℃～+70℃

封装：63 ball BGA

F59L2G81KA-25BG2N SLC NAND Flash存储芯片说明：

该器件具备两个2176 字节静态寄存器，支持以 2176 字节为单位，在寄存器与存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块为单位执行（128K 字节 + 8K 字节）。

该存储器件采用 I/O 引脚复用，同时用于地址、数据输入输出以及命令输入。擦除与编程操作均为自动执行，使其非常适用于固态文件存储、语音录音、数码相机图像文件存储，以及其他需要高密度非易失性存储器的数据存储系统。

F59L2G81KA-25BG2N引脚图

F59L2G81KA-25BG2N功能框图

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