F59D1G81MB-45TG2M

产品型号：F59D1G81MB-45TG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.7V～1.95V

规格封装：48 pin TSOPI

说明书：点击下载

产品介绍

F59D1G81MB(2M) 1 Gbit (128M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59D1G81MB-45TG2M SLC NAND Flash芯片特征

电源电压：1.8V（1.7V～1.95V）

组织结构

x8 结构：

存储单元阵列：(128M + 4M) × 8 位

数据寄存器：(2K + 64) × 8 位

x8 结构：

页编程：(2K + 64) 字节

块擦除：(128K + 4K) 字节

x8 结构：

页容量：(2K + 64) 字节

随机读取：最大 25μs

串行访问：最小 45ns

x8 结构：

编程时间：典型值 300μs

块擦除时间：典型值 4ms

命令 / 地址 / 数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程 / 擦除锁定

高可靠性 CMOS 浮栅技术

ECC 要求：

x8 结构：每 512 字节 4 位

擦写寿命：10 万次编程 / 擦除循环

数据保存时间：10 年

命令寄存器操作

上电时自动读取第 0 页选项

支持从 NAND 启动

自动存储器下载

空操作（NOP）：4 个周期

面向高性能编程的缓存编程 / 读操作

缓存读操作

回拷操作

扩展数据输出（EDO）模式

坏块保护

一次性编程（OTP）操作

工作温度

商用级：0℃～+70℃

封装：48 pin TSOPI

F59D1G81MB-45TG2M SLC NAND Flash芯片说明：

该器件为128M×8 位，附带4M×8 位的备用容量。器件采用1.8V Vcc电源供电。其 NAND 单元为固态大容量存储市场提供了性价比最优的解决方案。

存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此可在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含1024 个块，每个块由 64 页组成，每页包含两个由 32 个闪存单元串联构成的 NAND 结构。

对于 x8 器件，页编程操作可在典型 300μs 内完成 2112 字节页面的写入，块擦除操作可在典型 4ms 内完成 128K 字节块的擦除。

页面模式下的数据可按每字节45ns的周期时间读出。I/O 引脚用作地址、命令输入以及数据输入 / 输出端口。

回拷功能可优化坏块管理：当页编程操作失败时，数据可直接在同一阵列区域内的另一页进行编程，无需耗时的串行数据载入阶段。

缓存编程功能允许在数据寄存器向闪存阵列拷贝数据的同时，将数据载入缓存寄存器。这种流水线编程操作可在向存储器写入长文件时提升编程吞吐率。

器件还实现了缓存读功能，该功能可在需要连续读出页面时显著提升读取吞吐率。

本器件还包含一项附加功能：上电自动读取。

F59D1G81MB-45TG2M引脚图

F59D1G81MB-45TG2M功能框图

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