F59D1G161LB-45TG2M

产品型号：F59D1G161LB-45TG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.7V ~ 1.95V

规格封装：48 pin TSOPI

说明书：点击下载

产品介绍

F59D1G161LB(2M) 1 Gbit (64M x 16) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59D1G81LB-45TG2M SLC NAND Flash芯片特征

工作电压：1.8V（1.7V～1.95V）

组织结构

×16 位：

存储单元阵列：(64M + 2M) × 16 位

数据寄存器：(1K + 32) × 16 位

自动编程与擦除

×16 位：

页编程：(1K + 32) 字

块擦除：(64K + 2K) 字

页读操作

×16 位：

页大小：(1K + 32) 字（×16）

存储单元：1 位 / 存储单元

快速写入周期时间

命令 / 地址 / 数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程 / 擦除锁定

高可靠性 CMOS 浮栅技术

ECC 要求：

×16 位：1 位 / 256 字

工作温度

商用级：0℃～+70℃

封装：48 pin TSOPI

F59D1G161LB-45TG2M SLC NAND Flash芯片说明：

本器件为128M×8 位，附带4M×8 位备用容量，采用 1.8V 电源电压供电。其 NAND 存储单元为固态大容量存储市场提供了极具成本效益的解决方案。存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此可在擦除旧数据的同时保留有效数据。

该器件包含1024 个块，每个块由 64 页组成，每页包含两个由 32 个闪存单元串联构成的 NAND 结构。对于 ×8 位器件，页编程操作可对2112 字节的页进行写入，典型时间为 300μs；块擦除操作可对128K 字节的块执行，典型时间为 4ms。

页模式下的数据可按每字节 45ns 的周期读出。I/O 引脚用作地址、命令输入以及数据输入 / 输出端口。复制回功能可优化坏块管理：当页编程操作失败时，数据可直接在同一存储阵列区域内的另一页进行编程，无需耗时的串行数据写入过程。

缓存编程功能允许在数据寄存器向闪存阵列拷贝数据的同时，将数据写入缓存寄存器。这种流水线编程操作可提升大容量文件写入时的编程吞吐量。器件同样具备缓存读取功能，可显著提升连续页读取时的吞吐性能。

F59D1G161LB-45TG2M引脚图

F59D1G161LB-45TG2M功能框图

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