F59L1G81MB-25BG2M

产品型号：F59L1G81MB-25BG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+70°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：63 ball BGA

说明书：点击下载

产品介绍

F59L1G81MB(2M) 1 Gbit (128M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59L1G81MB-25BG2M SLC NAND Flash芯片特征

工作电压：3.3V（2.7V～3.6V）

结构

存储单元阵列：(128M + 4M) × 8 位

数据寄存器：(2K + 64) × 8 位

自动编程与擦除

页编程：(2K + 64) 字节

块擦除：(128K + 4K) 字节

页读取操作

页大小：(2K + 64) 字节

随机读取：最大 25μs

串行访问：3.3V 条件下最小 25ns

存储单元：1 位 / 存储单元

快速写入周期时间

编程时间：典型值 300μs

块擦除时间：典型值 4ms

命令 / 地址 / 数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源切换期间编程 / 擦除锁定保护

可靠的 CMOS 浮栅工艺

ECC 要求：4 位 / 528 字节

擦写寿命：10 万次编程 / 擦除周期

数据保存时间：10 年

命令寄存器操作

上电自动页 0 读取选项

支持 NAND 启动

自动存储器加载

空操作（NOP）：4 个周期

用于高性能编程的缓存编程操作

缓存读取操作

回拷操作

扩展数据输出（EDO）模式

一次性可编程（OTP）操作

坏块保护

工作温度

商用级：0℃～+70℃

封装：63 ball BGA

F59L1G81MB-25BG2M SLC NAND Flash芯片说明：

该器件为128M×8 位，并配备4M×8 位的备用容量。器件采用3.3V VCC电源供电。其 NAND 存储单元为固态大容量存储市场提供了极具成本效益的解决方案。存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此可在擦除旧数据的同时保留有效数据。

该器件包含1024 个块，每个块由64 页组成，每页由两个 NAND 结构构成，每个结构包含32 个串联的 Flash 存储单元。对于 8 位器件，编程操作可在典型 400μs内完成 2112 字节页面的写入，擦除操作可在典型 3ms内完成 128K 字节块的擦除。

页面模式下的数据可按每字节25ns的周期时间读出。I/O 引脚复用为地址、命令输入以及数据输入输出端口。回拷功能可优化坏块管理：当页面编程操作失败时，数据可直接在同一阵列区域内的另一页面进行编程，无需耗时的串行数据载入过程。

缓存编程功能允许在数据寄存器向 Flash 阵列复制数据的同时，将数据载入缓存寄存器。这种流水线式编程操作提升了向存储器写入大文件时的编程吞吐量。器件还集成了缓存读取功能，该功能可显著提升连续页面数据流输出时的读取吞吐量。本器件还具备一项附加功能：上电自动读取。

F59L1G81MB-25BG2M引脚图

F59L1G81MB-25BG2M功能框图

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