F59L1G81LB-25TG2M

产品型号：F59L1G81LB-25TG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：48 pin TSOPI

说明书：点击下载

产品介绍

F59L1G81LB(2M) 1 Gbit (128M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59L1G81LB-25TG2M SLC NAND Flash芯片特征

工作电压：3.3V（2.7V～3.6V）

结构

存储单元阵列：(128M + 4M) × 8 位

数据寄存器：(2K + 64) × 8 位

自动编程与擦除

页编程：(2K + 64) 字节

块擦除：(128K + 4K) 字节

页读操作

页大小：(2K + 64) 字节

随机读取：最大 25μs

串行访问：3.3V 条件下最小 25ns

存储单元：1 位 / 存储单元

快速写入周期时间

编程时间：典型值 400μs

块擦除时间：典型值 4ms

命令 / 地址 / 数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程 / 擦除锁定保护

可靠的 CMOS 浮栅工艺

ECC 要求：1 位 / 528 字节

擦写寿命：10 万次编程 / 擦除周期

数据保存时间：10 年

命令寄存器操作

上电自动页 0 读取选项

支持从NAND启动

自动存储器加载

空操作（NOP）：4 个周期

用于高性能编程的缓存编程操作

缓存读取操作

回拷操作

扩展数据输出（EDO）模式

一次性可编程（OTP）操作

坏块保护

封装：48 pin TSOPI

F59L1G81LB-25TG2M SLC NAND Flash芯片说明：

该器件为128M×8位，附带4M×8位的备用容量。器件采用 3.3V 电源电压供电。其NAND单元为固态大容量存储市场提供了极具成本效益的解决方案。存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此可在擦除旧数据的同时保留有效数据。

该器件包含1024个块，每个块由64页组成，每页由两个NAND结构构成，每个结构包含32个串联的Flash单元。对于8位器件，编程操作可在典型400μs内完成 2112 字节页面的写入，擦除操作可在典型3ms内完成128K字节块的擦除。

页面模式下的数据可按每字节25ns的周期时间读出。I/O引脚作为地址、命令输入以及数据输入输出的端口。回拷功能可优化坏块管理：当页面编程操作失败时，数据可直接在同一阵列区域内的另一页面进行编程，无需耗时的串行数据载入过程。缓存编程功能允许在数据寄存器向Flash阵列复制数据的同时，将数据载入缓存寄存器。这种流水线式编程操作可提升向存储器写入大文件时的编程吞吐量。器件还具备缓存读取功能，该功能可显著提升连续页面读取时的读取吞吐量。本器件还包含额外功能：上电自动读取。

F59L1G81LB-25TG2M引脚图

F59L1G81LB-25TG2M功能框图

参数	符号	额定值	单位
任意引脚相对于 VSS 的电压
电源电压	VCC	-0.6 ~ +4.6	V
输入电压	VIN	-0.6 ~ +4.6	V
输入 / 输出电压	VI/O	-0.6 ~ VCC+0.3（＜4.6）	V
偏置工作温度	TBIAS	-40 ~ +125	℃
存储温度	TSTG	-65 ~ +150	℃
短路电流	IOS	5	mA