F59D4G81KA-45TG2R

产品型号：F59D4G81KA-45TG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+55°C

用途：快闪记忆体

存储容量：4 Gbit

电压-电源：1.7V ~ 1.95V

规格封装：48 pin TSOPI

F59D4G81KA (2R) 4 Gbit (512M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59D4G81KA-45TG2R SLC NAND Flash芯片特征

电源电压VCC：1.8V（1.7V～1.95V）

组织结构页面大小：(4K + 256) 字节数据寄存器：(4K + 256) 字节块大小：64 页 = (256K + 16K) 字节平面数量：1每个裸片（LUN）的块数：2048

自动编程与擦除页面编程：(4K + 256) 字节块擦除：(256K + 16K) 字节

页面读取操作随机读取：最大 25μs读取周期：45ns

写入周期时间页面编程时间：典型值 400μs，最大值 700μs块擦除时间：典型值 3.5ms，最大值 10ms

每单元 1 比特（SLC）

命令 / 地址 / 数据复用 DQ 端口

硬件数据保护电源切换期间的编程 / 擦除锁定功能

高可靠性 CMOS 浮栅技术符合 JESD47K 规范ECC 要求：8bit/512Byte擦写寿命：60000 次编程 / 擦除周期非循环数据保持：55℃条件下实时使用 10 年

命令寄存器操作

同一页面内部分编程次数（NOP）：4

上电时自动读取第 0 页选项支持从 NAND 启动自动存储器下载

用于高性能编程的高速缓存编程操作

高速缓存读取操作

回拷操作

EDO 模式

页面复制

封装：48 pin TSOPI

F59D4G81KA-45TG2R SLC NAND Flash芯片说明：

该器件配备4352字节的静态寄存器，支持以4352字节为单位，在寄存器与存储单元阵列之间传输编程及读取数据。擦除操作以单个块为单位执行（256KB+16KB）。

该存储器件采用 I/O 引脚复用方式，同时用于地址、数据输入输出以及命令输入。器件的擦除与编程操作均自动执行，非常适用于固态文件存储、语音记录、数码相机图像文件存储，以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。

F59D4G81KA-45TG2R引脚图

F59D4G81KA-45TG2R功能框图

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