F59L4G81KA-25BG2R

产品型号：F59L4G81KA-25BG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+55°C

用途：快闪记忆体

存储容量：4 Gbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：63 ball BGA

说明书：点击下载

产品介绍

F59L4G81KA (2R) 4 Gbit (512M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59L4G81KA-25BG2R SLC NAND Flash芯片特征

电源电压

VCC：3.3V（2.7V～3.6V）

结构配置

页面大小：(4K + 256) 字节

数据寄存器：(4K + 256) 字节

块大小：64 页 = (256K + 16K) 字节

平面数量：1

每个裸片（LUN）的块数：2048

自动编程与擦除

页面编程：(4K + 256) 字节

块擦除：(256K + 16K) 字节

页面读取操作

随机读取：最大 25μs

读取周期：25ns

写入周期时间

页面编程时间：典型值 400μs，最大值 700μs

块擦除时间：典型值 3.5ms，最大值 10ms

每单元 1 比特（1bit/cell）

命令 / 地址 / 数据复用 DQ 端口

硬件数据保护

电源切换期间的编程 / 擦除锁定保护

可靠的 CMOS 浮栅技术

符合 JESD47K 规范

ECC 要求：每 512 字节 8 位纠错

擦写寿命：60,000 次编程 / 擦除循环

无循环数据保持：55℃条件下实时使用 10 年

命令寄存器操作

同一页内部分编程次数（NOP）：4 次

上电时自动读取第 0 页选项

支持从 NAND 启动

自动存储器下载

缓存编程操作，实现高性能编程

缓存读取操作

回拷操作

EDO 模式（扩展数据输出模式）

页拷贝

封装：63 ball BGA

F59L4G81KA-25BG2R SLC NAND Flash芯片说明：

该器件配备 4352 字节静态寄存器，支持以 4352 字节为增量，在寄存器与存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单个块为单位执行（256KB+16KB）。

该存储器件采用 I/O 引脚复用传输地址、数据输入输出以及命令输入。其擦除与编程操作可自动执行，非常适合固态硬盘文件存储、语音记录、数码相机图像文件存储，以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统应用。

F59L4G81KA-25BG2R引脚图

F59L4G81KA-25BG2R功能框图

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