F59D4G81XB-45BG2X

F59D4G81XB (2X) 4 Gbit (512M x 8) 1.8V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59D4G81XB-45BG2X SLC NAND Flash芯片特征

电源电压：1.8V（1.7V～1.95V）

符合开放式 NAND 闪存接口（ONFI）1.0 标准

单层单元（SLC）技术

结构配置

页面大小：4352 字节（4096 字节 + 256 字节）

块大小：64 页

平面数量：1

器件容量：4Gb

异步 I/O 性能读周期时间 / 写周期时间（tRC/tWC）：30ns 

阵列性能

页读取：启用片上 ECC 时最大 170μs

页读取：禁用片上 ECC 时最大 30μs

页编程：禁用片上 ECC 时典型 200μs

页编程：启用片上 ECC 时典型 240μs

块擦除：典型 2ms

指令集：ONFI NAND 闪存协议

高级指令集

页编程缓存模式

页读取缓存模式

永久块锁定（块 47:0）

一次性可编程（OTP）模式

下面是符合 NAND Flash datasheet 规范的简体中文专业翻译，术语统一、格式对齐，可直接用于技术文档：

可编程驱动强度 – 读取唯一 ID – 内部数据搬移

操作状态字节提供软件检测方式，用于判断：– 操作完成状态– 操作成功 / 失败状态– 写保护状态

Ready/Busy#（R/B#）提供硬件方式检测操作完成

WP# 信号：对整个器件进行写保护

ECC：默认关闭 8 位内部 ECC（可通过 SET FEATURE 命令切换使能 / 关闭）

出厂时块 0 带 ECC 校验且为有效块；最小所需 ECC 要求参见错误管理章节

上电后第一条命令必须为 RESET（FFh）

上电后器件自动初始化的备选方案（需联系厂家）

支持在读取数据的同一平面内执行内部数据搬移操作

质量与可靠性– 擦写寿命：100,000 次编程 / 擦除循环– 数据保持能力：符合 JESD47G 标准– 附加指标：无擦写循环数据保持时间：70℃下 24/7 不间断工作可达10年

封装：63 ball BGA

工作温度

商用：0°C至+70°C

F59D4G81XB-45BG2X SLC NAND Flash芯片说明：

NAND 闪存器件包含用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。此类器件采用高度复用的 8 位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。实现该异步数据接口共使用五路控制信号：CE#、CLE、ALE、WE# 以及 RE#。其他信号则用于硬件写保护控制与器件状态监测（R/B#）。

该硬件接口使得器件引脚数量较少，并采用标准引脚排布，且不同存储密度的器件引脚定义保持一致，便于后续升级至更高密度时无需重新设计电路板。

目标单元（Target）是通过芯片使能信号访问的存储单元，一个目标单元包含一个或多个 NAND 闪存裸片（Die）。NAND 闪存裸片是可独立执行命令并反馈状态的最小单元，在 ONFI 规范中，NAND 闪存裸片被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少对应一个 NAND 闪存裸片。更多详情请参见器件与阵列架构章节。

架构

此类器件采用 NAND Flash 电气接口与命令接口。数据、命令和地址通过相同引脚复用传输，并由 I/O 控制电路接收。

I/O 控制电路接收到的命令由命令寄存器锁存，并传送至控制逻辑电路，以产生内部控制信号来控制器件操作。地址由地址寄存器锁存后，发送至行译码器以选择行地址，或发送至列译码器以选择列地址。

数据通过数据寄存器和缓存寄存器，以字节为单位与 NAND Flash 存储阵列进行双向传输。

NAND Flash 存储阵列采用基于页的方式进行编程和读取操作，采用基于块的方式进行擦除操作。

在普通页操作期间，数据寄存器与缓存寄存器作为单个寄存器工作；在缓存操作期间，二者独立工作以提升数据吞吐率。状态寄存器用于反馈裸片操作状态。