F59L4G81XB-25TG2X

F59L4G81XB (2X) 4 Gbit (512M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

ESMT(晶豪科技)F59L4G81XB-25TG2X SLC NAND Flash芯片特征

工作电压范围

VCC：2.7V–3.6V

兼容开放式 NAND 闪存接口（ONFI）1.0 标准

单级单元（SLC）技术

结构配置

页面大小：4352 字节（4096 + 256 字节）

块大小：64 页

平面数量：1

异步 I/O 性能

读取周期 / 写入周期时间（tRC/tWC）：25ns

阵列性能

启用片内 ECC 时，页面读取时间：最大 115μs

禁用片内 ECC 时，页面读取时间：最大 25μs

禁用片内 ECC 时，页面编程时间：典型 200μs

启用片内 ECC 时，页面编程时间：典型 240μs

块擦除时间：典型 2ms

指令集：ONFI NAND 闪存协议

高级指令集

页面编程缓存模式

页面读取缓存模式

永久块锁定（块地址 47:0）

一次性可编程（OTP）模式

块锁定

可编程驱动强度

读取唯一 ID

内部数据搬移

运行状态字节为软件检测提供了以下途径：

操作完成状态

通过 / 失败状态

写保护状态

Ready/Busy#（R/B#）信号为硬件检测操作完成状态提供了方法

WP# 信号：对整个器件进行写保护

ECC：8 位内部 ECC 默认为关闭状态，可通过设置特性指令进行开关切换

块 0 在出厂并启用 ECC 时为有效块。如需最低要求的 ECC 配置，请参见错误管理章节

上电后第一条指令必须为复位指令（FFh）

支持在读取数据的同一平面内执行内部数据搬移操作

质量与可靠性

擦写寿命：100,000 次编程 / 擦除周期

数据保存：符合 JESD47G 标准；详见认证报告

附加指标：无循环数据保存时间：70℃环境下 24 小时不间断工作可保存 10 年

封装：48 pin TSOPI

工作温度

商用：0°C至+70°C

F59L4G81XB-25TG2X SLC NAND Flash芯片说明：

无铅产品

NAND 闪存器件集成异步数据接口，可实现高性能 I/O 操作。该类器件采用高度复用的 8 位总线（I/Ox）传输指令、地址与数据。异步数据接口由五路控制信号实现：CE#、CLE、ALE、WE# 及 RE#。另有额外信号用于硬件写保护控制与器件状态监测（R/B#）。

该硬件接口使器件引脚数量更少，并采用标准引脚排布，不同容量型号引脚定义完全一致，便于后续升级至更大容量时无需重新设计电路板。

目标单元是由芯片使能信号访问的内存单元，包含一个或多个 NAND 闪存裸片。NAND 闪存裸片是可独立执行指令并反馈状态的最小单元，在 ONFI 规范中也被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少对应一个 NAND 闪存裸片。详细说明参见器件与阵列结构章节。

架构

这些器件采用 NAND Flash 电气接口与命令接口。数据、命令和地址通过复用引脚传输，并由 I/O 控制电路接收。

I/O 控制电路接收到的命令由命令寄存器锁存，再送入控制逻辑电路，以产生内部控制信号，驱动器件工作。地址由地址寄存器锁存后，送至行译码器选择行地址，或送至列译码器选择列地址。

数据通过数据寄存器与缓存寄存器，以字节为单位在 NAND Flash 存储阵列之间进行读写传输。

NAND Flash 存储阵列采用基于页的方式进行编程与读取，采用基于块的方式进行擦除。在普通页操作模式下，数据寄存器与缓存寄存器合并为单一寄存器使用；在缓存操作模式下，两者独立工作以提升数据吞吐率。状态寄存器用于反馈芯片各项操作的执行状态。