M12L2561616A-5BG2T

产品型号：M12L2561616A-5BG2T

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：3.3V

规格封装：BGA

M12L2561616A (2T) 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM SDRAM

ESMT(晶豪科技)M12L2561616A-5BG2T DRAM SDRAM芯片特征

JEDEC标准3.3V电源

LVTTL兼容多路复用地址

四家银行运营

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（2和3）

-连拍长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交错）

所有输入均在以下值的正向边缘采样

系统时钟

突发读单写操作

DQM用于遮蔽

自动和自刷新

64ms刷新周期（8K周期）

所有无铅产品均符合RoHS标准

封装：BGA

最高频率：143MHz

M12L2561616A-5BG2T一般说明

M12L2561616A是268435456位同步高数据速率动态RAM，由4 x 4194304个字乘16位组成。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。每个时钟周期都可以进行I/O事务。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高带宽、高性能存储系统应用。

引脚配置（顶视图）（TSOPII 54 引脚，本体尺寸 400mil×875mil，引脚间距 0.8mm）

球栅阵列配置（顶视图）（BGA54，本体尺寸 8mm×8mm×1mm，焊球间距 0.8mm）

M12L2561616A-5BG2T球栅阵列配置（顶视图）

M12L2561616A-5BG2T功能框图

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