M12L5121632A-5TG2T

产品型号：M12L5121632A-5TG2T

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：易失性存储器

存储容量：512Mbit

电压-电源：3.3V

规格封装：TSOP II

M12L5121632A (2T) 8M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

ESMT(晶豪科技)M12L5121632A-5TG2T SDRAM 芯片特征

特性

符合 JEDEC 标准的 3.3V 电源供电

与多路复用地址的 LVTTL 电平兼容

4 组存储体（Bank）操作

模式寄存器设置（MRS）周期可通过地址关键配置：

CAS 潜伏期（2、3）

突发长度（1、2、4、8 及全页）

突发类型（顺序、交叉）

所有输入信号均在系统时钟上升沿采样

突发读、单写操作

数据掩码（DQM）功能

自动刷新与自刷新

64ms 刷新周期（8K 周期）

最高频率：200MHz

所有无铅产品均符合 RoHS 指令

封装：TSOP II

M12L5121632A-5TG2T一般说明：

M12L5121632A-5TG2T器件为536,870,912 位同步高速数据率动态随机存取存储器（DRAM），组织结构为 4 × 8,388,608 字 × 16 位。

同步设计可借助系统时钟实现精确的周期控制，每个时钟周期均可进行输入 / 输出操作。工作频率范围宽广，支持可编程突发长度与可编程潜伏期，使同一器件可适用于多种高带宽、高性能存储系统应用。

M12L5121632A-5TG2T功能框图

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