VEN25QY256A-133HIP2SC

产品型号：VEN25QY256A-133HIP2SC

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-pin 200mil SOP

说明书：点击下载

产品介绍

VEN25QY256A (2SC) 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)VEN25QY256A-133HIP2SC Flash串行闪存芯片特征:

产品特性

单电源供电工作

宽电压范围：2.7~3.6 伏

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持 0 模式和 3 模式

256 兆位串行闪存

容量规格：256 兆位 / 32768 千字节 / 131072 页

可编程页容量：每页 256 字节

支持标准、双路、四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线、片选低有效、数据输入、数据输出

双路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1

四路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1、双向数据 2、双向数据 3

默认四路使能位 = 1（四路模式使能），写保护、保持功能禁用

虚拟周期数可配置

高性能

工作电压：2.7~3.6 伏

单 / 双 / 四路输入输出快速读取模式时钟速率可达 104 兆赫兹

四路输入输出快速读取模式时钟速率可达 133 兆赫兹

低功耗

典型工作电流：7 毫安

典型掉电电流：1 微安

统一扇区架构

8192 个 4 千字节扇区

1024 个 32 千字节区块

512 个 64 千字节区块

任意扇区或区块均可独立擦除

软硬件写保护

可通过软件对存储器的全部或部分区域进行写保护

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半区块擦除时间：典型值 200 毫秒

区块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 120 秒

支持 3 字节与 4 字节地址模式切换

易失性状态寄存器位

可锁定的 3 个 512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名功能

支持读取唯一标识码

最低 10 万次擦写耐久周期

数据保存时间 20 年

封装型号：

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合有害物质限制指令（RoHS）、无卤素及化学品注册、评估、授权和限制法规（REACH）要求

工业级温度范围：-40℃ ~ 85℃

VEN25QY256A-133HIP2SC Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QY256A (2SC)可通过标准串行外设接口（SPI）引脚，支持单比特和四比特串行输入输出指令，相关引脚包括：串行时钟、片选、串行双向数据 0（数据输入）、双向数据 1（数据输出）、双向数据 2（写保护低有效）以及双向数据 3（保持低有效 / 复位低有效）。通过页编程指令，VEN25QY256A (2SC)可实现 1 至 256 字节的单次编程操作。

VEN25QY256A (2SC)支持对存储区块进行保护与解除保护，借助该功能，系统可对目标区块解除保护以修改其内容，而存储器阵列中其余区块则保持安全保护状态。这一特性适用于各类应用场景：例如基于子例程或模块对程序代码进行补丁修复、版本升级的场景，或是需要修改数据存储段且需避免程序代码段遭受误修改风险的场景。

VEN25QY256A (2SC)支持单次单扇区 / 单区块擦除操作，也可执行整片擦除操作，还可配置为软件保护模式，对存储器的部分区域进行保护。器件的每个扇区或区块，均能承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）