VEN25QH128A-104HIP2T

VEN25QX128A (2T) 128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QH128A-104HIP2T Flash串行闪存芯片特征:

产品特性

单电源供电工作

电压全范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持 0 模式和 3 模式

128 兆位串行闪存

总容量：128 兆位 / 16384 千字节 / 65535 页

可编程页规格：每页 256 字节

支持标准、双路、四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线、片选低有效、数据输入、数据输出、写保护低有效、保持低有效 / 复位低有效

双路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1、写保护低有效、保持低有效 / 复位低有效

四路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1、双向数据 2、双向数据 3

虚拟周期数可配置

高性能

标准 SPI 模式时钟速率可达 104 兆赫兹

双数据位模式时钟速率可达 104 兆赫兹

四数据位模式时钟速率可达 104 兆赫兹

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名功能

低功耗

典型工作电流：10 毫安

典型掉电电流：1 微安

统一扇区架构

4096 个扇区，每扇区 4 千字节

512 个 32 千字节区块

256 个 64 千字节区块

任意扇区或区块均可独立擦除

软硬件写保护

可通过软件对存储器全部或部分区域进行写保护

可通过写保护低有效引脚启用 / 解除保护

软硬件复位

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半区块擦除时间：典型值 200 毫秒

区块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 60 秒

易失性状态寄存器位

可锁定的 512 字节一次性可编程安全扇区

读取唯一标识码

最低 10 万次擦写耐久周期

数据保存时间 20 年

封装型号：

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合有害物质限制指令、无卤素及化学品注册、评估、授权和限制法规要求

工业级温度范围：-40℃ ~ 85℃

VEN25QH128A-104HIP2T Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QX128A (2T)为 128 兆位（16384 千字节）串行闪存，搭载先进的写保护机制。该器件可通过标准串行外设接口（SPI）引脚，实现单比特、四比特串行输入输出指令的支持，相关引脚包括：串行时钟、片选、串行双向数据 0（数据输入）、双向数据 1（数据输出）、双向数据 2（写保护低有效）及双向数据 3（保持低有效 / 复位低有效）。器件支持最高 104 兆赫兹的 SPI 时钟频率，采用四路输出读取指令时，四路输出模式可实现 416 兆赫兹的等效时钟速率（104 兆赫兹 ×4）。通过页编程指令，本器件可完成 1 至 256 字节的单次编程操作。

同时，器件配备了高可靠性的独立区块保护方案，能有效防止单个存储区块因误操作或恶意行为遭受非法的编程、擦除操作。借助存储区块的独立保护与解除保护功能，系统可仅对指定区块解除保护以修改其内容，而存储器阵列中其余所有区块则保持安全保护状态。这一特性在各类应用场景中具备重要实用价值：例如基于子例程或模块对程序代码进行补丁修复、版本升级的场景，或是需要修改数据存储段，且需避免程序代码段遭受误修改风险的应用场景。

VEN25QX128A (2T)支持单次单扇区 / 单区块擦除操作，也可执行整片擦除操作；还可配置为软件保护模式，对存储器的部分区域进行写保护。器件的每个扇区或区块，均能承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）

框图