VEN25QX128A-104HIP2VC

VEN25QX128A (2VC) 128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QX128A-104HIP2VC Flash串行闪存芯片特征:

单电源供电工作模式

额定电压范围：2.7V~3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持 0 模式和 3 模式

128 兆位串行闪存

存储规格：128 兆位 / 16384 千字节 / 65535 页

可编程页容量：每页 256 字节

标准 / 双路 / 四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线、片选低电平、数据输入、数据输出（CLK、CS#、DI、DO）

双路 SPI：时钟线、片选低电平、数据输入输出 0、数据输入输出 1（CLK、CS#、DQ0、DQ1）

四路 SPI：时钟线、片选低电平、数据输入输出 0/1/2/3（CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3）

默认配置：四路使能（QE=1），写保护（WP#）、保持（HOLD#）功能禁用

高性能表现

全电压范围适配

单 / 双 / 四路输入输出快速读取模式下，时钟速率可达 104 兆赫兹

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名功能

低功耗特性

典型工作电流：6 毫安

典型待机电流：1 微安

统一扇区架构

4096 个扇区，每扇区 4 千字节

512 个块，每块 32 千字节

256 个块，每块 64 千字节

任意扇区或块均可独立擦除

软硬件写保护

可通过软件对存储器全部或部分区域进行写保护

软硬件复位功能

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半块擦除时间：典型值 200 毫秒

块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 60 秒

易失性状态寄存器位

3 个 512 字节的可锁定一次性可编程（OTP）安全扇区

写挂起与恢复功能

支持回绕突发读取（8/16/32/64 字节）

空白检测位

读取唯一标识码功能

最小擦写寿命 10 万次

数据保存时间 20 年

封装型号：

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）、无卤及《化学品的注册、评估、授权和限制》（REACH）相关标准

工作温度范围：-40℃ ~ 85℃

VEN25QX128A-104HIP2VC Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QX128A (2VC)为 128 兆位（16384 千字节）串行闪存，搭载先进的写保护机制。

VEN25QX128A (2VC)支持通过标准串行外设接口（SPI）引脚，执行单比特和四比特串行输入输出指令，涉及引脚包括：串行时钟、片选、串行数据输入输出 0（数据输入）、数据输入输出 1（数据输出）、数据输入输出 2（写保护低）以及数据输入输出 3（保持低 / 复位低）。器件支持最高 104 兆赫兹的 SPI 时钟频率，使用四输出读取指令时，四输出模式下可实现等效 416 兆赫兹（104 兆赫兹 ×4）的时钟速率。通过页编程指令，VEN25QX128A (2VC)可实现 1 至 256 字节的单次编程操作。

VEN25QX128A (2VC)还配备成熟的保护机制，可防止单个块遭受误操作或恶意的编程、擦除行为。凭借块级独立保护与解除保护的功能，系统可仅对特定块解除保护以修改其内容，同时让存储阵列中其余块保持安全保护状态。这一特性适用于以下应用场景：基于子程序或模块对程序代码进行补丁修复、版本更新；或是需要修改数据存储段，且避免程序代码段因误操作被篡改的场景。

VEN25QX128A (2VC)支持单扇区 / 单块的独立擦除，也可执行整片擦除操作，还可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。器件的每个扇区或块，均可承受至少 10 万次的编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）

框图