VEN25QX64A-104HIP2CC

VEN25QX64A (2CC) 64 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QX64A-104HIP2CC Flash串行闪存芯片特征:

产品特性

单电源供电模式

电压全范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持模式 0 与模式 3

64 兆位串行闪存

存储容量：64 兆位 / 8192 千字节 / 32768 页

可编程页容量：每页 256 字节

支持标准、双路及四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入线（DI）、数据输出线（DO）

双路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入输出线 0（DQ0）、数据输入输出线 1（DQ1）

四路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入输出线 0（DQ0）、数据输入输出线 1（DQ1）、数据输入输出线 2（DQ2）、数据输入输出线 3（DQ3）

默认配置：四路模式使能（QE=1），写保护（WP#）、保持（HOLD#）功能禁用

高性能表现

全电压范围适配

单 / 双 / 四路输入输出快速读取模式下，时钟频率可达 104 兆赫兹

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

低功耗设计

典型工作电流：6 毫安

典型待机电流：1 微安

统一扇区架构

2048 个 4 千字节扇区

256 个 32 千字节块

128 个 64 千字节块

任意扇区或块均可独立擦除

支持软件与硬件写保护功能

通过软件对存储器的全部或部分区域进行写保护

软件与硬件复位功能

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半块擦除时间：典型值 200 毫秒

块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 30 秒

易失性状态寄存器位

3 个 512 字节的一次性可编程（OTP）安全扇区（支持锁定）

写暂停与恢复功能

支持带环绕功能的突发读取（8/16/32/64 字节）

空白检测位

读取唯一识别码（UID）功能

最低 10 万次擦写寿命

数据保存时间长达 20 年

封装型号：

G = 8-pin 150mil SOP

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤素 以及 REACH 标准

工作温度范围：-40℃ ~ 85℃

VEN25QX64A-104HIP2CC Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QX64A (2CC)是一款容量为 **64 兆位（8192 千字节）** 的串行闪存，内置先进的写保护机制。

VEN25QX64A (2CC)支持单比特与四比特串行输入输出指令，可通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现数据传输，引脚包括：串行时钟（Serial Clock）、片选（Chip Select）、串行数据引脚 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）以及 DQ3（HOLD#/RESET#）。借助页编程指令，本器件可实现每次 1–256 字节的数据编程操作。

同时，VEN25QX64A (2CC)配备一套精密的保护机制，可针对单个存储块，防范误操作或恶意的编程、擦除行为。由于具备独立保护与解除保护单个存储块的功能，系统可仅解除目标存储块的保护以修改其内容，同时确保存储阵列中其余存储块处于安全保护状态。这一特性在以下应用场景中尤为实用：需基于子程序或功能模块对程序代码进行补丁修复或版本更新的场景；以及需修改数据存储段，但又要避免程序代码段遭受误修改风险的场景。

VEN25QX64A (2CC)支持单次单扇区 / 单块擦除与整片擦除两种操作模式，还可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。每个扇区或存储块的编程 / 擦除循环寿命最低可达 10 万次。

连接示意图（俯视图）

框图