VEN25QH128A-104HIP2T

VEN25QH128A (2T)128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QH128A-104HIP2T Flash串行闪存芯片特征:

单电源供电运行

宽电压范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：模式 0 与模式 3

128 兆位串行闪存

容量规格：128 兆位 / 16384 千字节 / 65535 页

可编程页容量：每页 256 字节

标准 / 双路 / 四路串行外设接口（SPI）

标准 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入线（DI）、数据输出线（DO）、写保护线（WP#）、

保持 / 复位线（HOLD#/RESET#）

双路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、写保护线（WP#）、

保持 / 复位线（HOLD#/RESET#）

四路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、数据输入 / 输出线 2（DQ2）、数据输入 / 输出线 3（DQ3）

空周期数可配置

高性能

标准SPI 模式下时钟频率可达104兆赫兹

双路数据传输模式下时钟频率可达104兆赫兹

四路数据传输模式下时钟频率可达104兆赫兹

支持串行闪存可发现参数（SFDP）特征

低功耗

典型工作电流：10毫安

典型掉电电流：1微安

统一扇区架构

4096个扇区，每扇区4千字节

512 个 32 千字节区块

256 个 64 千字节区块

任意扇区或区块均可独立擦除

软件与硬件写保护功能

可通过软件对存储器的全部或部分区域进行写保护

通过写保护引脚（WP#）启用 / 禁用保护功能

软件与硬件复位功能

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半区块擦除时间：典型值 200 毫秒

区块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 60 秒

易失性状态寄存器位

可锁定的512字节一次性可编程（OTP）安全扇区

支持读取唯一识别码（UID）

最低10万次擦写寿命

数据保存时间长达20年

封装型号：

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合有害物质限制指令（RoHS）、无卤素及化学品注册、评估、授权和限制法规（REACH）标准

工业级工作温度范围

VEN25QH128A-104HIP2T Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QH128A为一款容量128兆位（16384 千字节）的串行闪存，内置高级写保护机制。该器件支持单比特与四比特串行输入输出指令，可通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现通信，具体引脚包括：串行时钟线（Serial Clock）、片选线（Chip Select）、串行数据输入输出引脚 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）以及 DQ3（HOLD#/RESET#）。器件支持最高 104 兆赫兹的 SPI 时钟频率，在使用四路输出读取指令时，等效时钟频率可达 416 兆赫兹（104 兆赫兹 ×4）。通过页编程指令，可对存储器执行单次 1–256 字节的编程操作。

VEN25QH128A还配备了一套精密的保护机制，可针对单个区块，防范误操作或恶意操作引发的编程与擦除风险。借助区块独立保护与解除保护的功能，系统可仅解除目标区块的保护以修改其内容，同时确保存储器阵列中其余区块处于安全保护状态。这一特性适用于多种应用场景：例如在子程序或模块层面进行程序代码补丁更新的场景，或是需要修改数据存储段，同时避免程序代码段遭受误修改风险的场景。

VEN25QH128A支持单次单扇区 / 单区块擦除操作，也可执行整片擦除操作。器件可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。每个扇区或区块的最低可编程 / 擦除循环次数可达10万次。

连接示意图（俯视图）

框图