EN25SY256A-133FIP2PC

EN25SY256A(2PC) 256 Megabit 1.8V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25SY256A-133FIP2PC芯片特征:

单电源供电运行

– 全电压范围：1.65-1.95 伏

串行接口架构

– 兼容 SPI 协议：0 模式与 3 模式

256 兆位串行闪存

– 存储容量：256 兆位 / 32,768 千字节 / 131,072 页

– 每页可编程字节数：256 字节

标准、双线或四线 SPI 模式

– 标准 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、数据输入（DI）、数据输出（DO）

– 双线 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、双向数据 0（DQ0）、双向数据 1（DQ1）

– 四线 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、双向数据 0（DQ0）、双向数据 1（DQ1）、双向数据 2（DQ2）、双向数据 3（DQ3）

– 默认配置：四线使能（QE）=1，写保护（WP#）、保持（HOLD#）功能禁用

高性能

– 全电压范围适用

– 单线 / 双线 / 四线 I/O 快速读取模式下，时钟频率可达 104 兆赫兹

– 四线 I/O 快速读取模式下，时钟频率可达 133 兆赫兹

低功耗

– 典型工作电流：7 毫安

– 典型掉电电流：1 微安

统一扇区架构

– 4 千字节扇区：8,192 个

– 32 千字节块：1,024 个

– 64 千字节块：512 个

– 支持单个扇区或块独立擦除

软硬件写保护

– 可通过软件对全部或部分存储器进行写保护

高性能编程 / 擦除速度

– 典型页编程时间：0.5 毫秒

– 典型扇区擦除时间：40 毫秒

– 典型半块擦除时间：200 毫秒

– 典型块擦除时间：300 毫秒

– 典型整片擦除时间：120 秒

支持 3 字节地址与 4 字节地址切换

易失性状态寄存器位

可锁定的 3×512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

可读取唯一标识号（Unique ID Number）

最低 10 万次循环耐久性

数据保存时间：20 年

封装选项

H = 8-pin 200 mil SOP

F = 16-pin 300 mil SOP

W = 8-contact VDFN / WSON (5x6 mm)

Y = 8-contact VDFN / WSON (6x8 mm)

– 所有无铅封装均符合 RoHS（关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令）、无卤素及 REACH（化学品注册、评估、授权和限制法规）标准

工业级温度范围

EN25SY256A-133FIP2PC一般说明

该设备是一个256兆位（32768K字节）串行闪存，具有高级写保护机制。 

该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（保持#/重置#）。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。

通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其内容，同时保持存储器阵列的剩余块受到安全保护。这在以下应用程序中很有用代码在子例程或模块的基础上或在需要数据存储段的应用程序中进行修补或更新在不对程序代码段进行错误修改的情况下进行修改。 

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是被配置为以软件保护模式保护部分存储器。设备扫描维持至少每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期.