EN35QX512A-104HIP2SC

产品型号：EN35QX512A-104HIP2SC

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-pin SOP 200mil

说明书：点击下载

其他介绍

EN35QX512A(2SC) 512 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN35QX512A-104HIP2SC SPI NOR FLASH特征

● 单电源供电运行

● 软硬件写保护

全电压范围：2.7-3.6 伏

通过软件对存储器全部或部分区域进行写保护

串行接口架构

兼容 SPI：模式 0 和模式 3

高性能编程 / 擦除速度

512 兆位串行闪存

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

512 兆位 / 65,536 千字节 / 262,144 页

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

每个可编程页 256 字节

半块擦除时间：典型值 200 毫秒

标准、双通道或四通道 SPI

块擦除时间：典型值 300 毫秒

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO

整片擦除时间：典型值 120 秒

双通道 SPI：CLK、CS#、DQ、DQ

● 3 字节地址与 4 字节地址切换

四通道 SPI：CLK、CS#、DQp、DQ、DQ2、DQ

易失性状态寄存器位

默认 QE=1（四通道使能），WP#、HOLD# 禁用

可锁定的 3×512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

● 支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

● 高性能

2.7-3.6 伏

单通道 / 双通道 / 四通道 I/O 的 104MHz 时钟频率

● 读取唯一 ID 编号

快速读取

3-3.6 伏

四通道 I/O 快速读取的 133MHz 时钟

最小 100K 次耐擦写循环

数据保留时间 20 年

需通过特定订单产品编号提供

● 封装选项

8-pin SOP 200mil body width

16-pin SOP 300mil body width

8-contact VDFN/WSON (6x5mm)

8-contact VDFN/ WSON (8x6mm)

● 低功耗

典型工作电流 14 毫安

典型掉电电流 2 微安

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤素和 REACH 标准

● 统一扇区架构：

16,384 个扇区，每个 4 千字节

工业级温度范围

2,048 个块，每个 32 千字节

1,024 个块，每个 64 千字节

任何扇区或块均可单独擦除

EN35QX512A-104HIP2SC SPI NOR FLASH说明

该器件是一款 512 兆位（65,536 千字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。

该器件支持通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现单比特和四比特串行输入输出命令，这些引脚包括：串行时钟、片选、串行数据引脚 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）以及 DQ3（HOLD#/RESET#）。使用页编程指令时，存储器一次可编程 1 至 256 字节。

通过提供对块进行保护和解除保护的功能，系统可以解除对某些块的保护以修改其内容，同时确保存储器阵列中其余块的安全保护。这在以下应用场景中十分有用：需要基于子程序或模块对程序代码进行修补或更新，或者需要修改数据存储段但又要避免程序代码段因误操作而被修改的情况。

该器件设计支持单次单个扇区 / 块擦除操作或整片擦除操作。它还可配置为软件保护模式，对部分存储器进行保护。每个扇区或块至少可承受 100K 次编程 / 擦除循环。

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