EN35QY512A-133YIP2S

EN35QY512A (2S) 512 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN35QY512A-133YIP2S SPI NOR FLASH特征

单电源操作

–全电压范围：2.7-3.6伏

串行接口架构

SPI兼容：模式0和模式3

512 M位串行闪存

–512 M位/65536 KB/262144页

–每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

–标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

–双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

–四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

–可配置的虚拟循环数

高性能

–2.7-3.6V

–单/双/四I/O的时钟频率为104 MHz

快速阅读

–133 MHz时钟，用于四路I/O快速读取

低功耗

–14 mA典型有功电流

– 2 典型的断电电流

统一扇区架构

–16384个4KB扇区

–2048个32千字节的块

–1024个64千字节的块

–任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护

–通过写保护全部或部分内存

软件

–使用WP#引脚启用/禁用保护

高性能编程/擦除速度

–页面程序时间：典型值为0.5 ms

–扇区擦除时间：典型值为40毫秒

–半块擦除时间通常为200毫秒

–块擦除时间通常为300毫秒

芯片擦除时间：通常为120秒

3字节地址和4字节地址开关

易失性状态寄存器位

可锁定3x512字节OTP安全扇区

支持串行闪存可发现参数

（SFDP）签名

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

程序包选项

–8针SOP 200 mil机身宽度

–16针SOP 300 mil机身宽度

–8触点VDFN/WSON（6x5 mm）

–8触点VDFN/WSON（8x6毫米）

–所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN35QY512A-133YIP2S SPI NOR FLASH说明

该设备是一个512兆比特（65536K字节）的串行闪存，具有高级写保护机制。 

该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（保持#/重置#）。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。

通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其内容，同时保持存储器阵列的剩余块受到安全保护。这在以下应用程序中很有用代码在子例程或模块的基础上或在需要数据存储段的应用程序中进行修补或更新在不对程序代码段进行错误修改的情况下进行修改。 

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是被配置为以软件保护模式保护部分存储器。设备扫描维持至少每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期。