EN25F10A-104GIP2NF

产品型号：EN25F10A-104GIP2NF

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Mbit

电压-电源：2.3V - 3.6V

规格封装：8-pin 150mil SOP

说明书：点击下载

其他介绍

EN25F10A(2NF) 1 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25F10A-104GIP2NF SPI NAND Flash特征

单电源供电运行

高性能编程 / 擦除速度

全电压范围：2.3-3.6 伏

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

串行接口架构

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

兼容 SPI：模式 0 和模式 3

32KB 块擦除时间：典型值 120 毫秒

1M 位串行闪存

64KB 块擦除时间：典型值 150 毫秒

1M 位 / 128K 字节 / 512 页

整片擦除时间：典型值 0.5 秒

每个可编程页 256 字节

一次性可编程（OTP）

标准、双通道或四通道 SPI

3 组可锁定的 512 字节安全扇区的 OTP

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

双通道 SPI：CLK、CS#、DQ、DQ、WP#、HOLD#

四通道 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

读取唯一 ID 编号

高性能

易失性状态寄存器位

标准 SPI 的 104MHz 时钟频率

双数据位的 104MHz 时钟频率

四数据位的 104MHz 时钟频率

最少 100K 次 endurance 循环

低功耗

数据保留时间 20 年

典型工作电流 5mA

封装选项

典型掉电电流 1pA

8 引脚 SOP，本体宽度 150 密耳

统一扇区架构：

8 触点 USON，尺寸 2x3x0.55 毫米

32 个扇区，每个 4KB

8 触点 USON，尺寸 2x3x0.45 毫米

4 个块，每个 32KB

8 触点 VDFN/WSON（6x5 毫米）

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤素和 REACH 标准

2 个块，每个 64KB

任何扇区或块均可单独擦除

工业级温度范围

软硬件写保护：

通过软件写保护全部或部分存储器

通过 WP# 引脚启用 / 禁用保护

EN25F10A-104GIP2NF SPI NAND Flash一般说明

该器件是一款 1 兆位（128 千字节）的串行闪存，具有增强的写保护机制。它支持标准串行外设接口（SPI），以及高性能的双通道 / 四通道输出，同时可通过 SPI 引脚（串行时钟、片选、串行 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）和 DQ3（HOLD#））实现双通道 / 四通道输入输出。器件支持高达 104MHz 的 SPI 时钟频率，在使用双通道 / 四通道输入输出快速读取指令时，双通道输出的等效时钟速率可达 208MHz（104MHz×2），四通道输出的等效时钟速率可达 416MHz（104MHz×4）。通过页编程指令，可对存储器进行单次 1 至 256 字节的编程操作。

该器件设计支持单次单个扇区 / 块擦除或整片擦除操作。它可配置为软件保护模式，对部分存储器进行保护。每个扇区或块可承受至少 10 万次的编程 / 擦除循环。

EN25E10A-104XFIP2AQ引脚图.png