M55D4G16256A-EEBG2R

产品型号：M55D4G16256A-EEBG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.8V/ 1.2V

规格封装：178 Ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M55D4G16256A(2R) 32M x 16 Bit x 8 Banks LPDDR3 SDRAM

ESMT(晶豪科技)M55D4G16256A-EEBG2R特征:

超低压核心和I/O电源

VDD1=1.70 ow-vol

VDD2、VDDCA、VDDQ=1.14ow-vol

组织

32M字x16位x8个存储体

符合JEDEC LPDDR3标准

4KB页面大小

行地址：R0到R13

列地址：C0至C10（x16位）

每次突发访问的自动预充电选项

八位预取DDR架构

八家内部银行同时运营

双倍数据速率，命令/地址输入；

在每个CK边上输入的命令

每字节数据的双向/差分数据选通（DQS）

差分时钟输入（CK_t和CK_c）

用于写入数据的数据掩码（DM）

CA输入定时的命令/地址（CA）培训

调整

时钟到DQ、DQS和DM定时的写均衡

调整

接口：HSUL-12

读取延迟（RL）：3、6、8、9、10、11、12、14、16

爆破长度（BL）：8

突发类型（BT）：顺序

每个银行刷新以进行并发操作

自动温度补偿自刷新（ATCSR）

自动刷新和自刷新

刷新周期：8192个周期/32ms

平均刷新周期：3.9μs

部分阵列自刷新（PASR）

银行屏蔽

分段屏蔽

深度断电（DPD）

可编程驱动强度（DS）

模内终止（ODT）

封装：178 Ball BGA；

Max Freq：933MHz

Data Rate (Mb/s/pin)：1866

LPDDR3 SDRAM Addressing.png

1.最低有效列地址C0不在CA总线上传输，并且暗示为零。

2.所有气缸组刷新的tREFI值均在温度规格范围内（TCASE<=85℃）。

3.CA总线上未使用的行和列地址值为“不在乎”

M55D4G16256A-EEBG2R功能框图.png

1.在空闲状态下，所有银行都已预充电。

2.在MRW进入CA训练模式或写入水平模式的情况下，状态机不会自动返回空闲状态。在这些情况下，需要额外的MRW命令来退出任一操作模式并返回空闲状态国家。请参阅“CA培训”或“写作水平”部分。

3.不允许终止脉冲。对于这些状态转换，必须在转换之前完成突发操作可能发生。

4.小心使用此图。它旨在提供可能的状态转换和控制命令的平面图他们，不是所有的细节。特别是，涉及多家银行的情况没有得到充分详细的记录。

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