M55D1G3232A-CDBG2Y

产品型号：M55D1G3232A-CDBG2Y

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.8V/ 1.2V

规格封装：178 Ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M55D1G3232A(2Y) 4M x 32 Bit x 8 Banks LPDDR3 SDRAM

ESMT(晶豪科技)M55D1G3232A-CDBG2Y特征:

JEDEC标准

VDD=1.8V±0.1V，VDDQ=1.8V？.1V

内部流水线双数据速率架构；每个时钟周期两次数据访问

双向差分数据选通（DQS、DQS）；

DQS

可以禁用单端数据选通操作。

片上DLL

差分时钟输入（CLK和CLK）

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

8银行业务

CAS延迟：3、4、5、6、7

加性延迟：0、1、2、3、4、5、6

突发类型：顺序和交错

爆裂长度：4，8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟（CLK）的上升沿采样

数据选通（DQS）两侧的数据I/O转换

DQS与READ数据边缘对齐；中心与WRITE数据对齐

数据掩码（DM）仅用于写掩码

片外驱动器（OCD）阻抗调整

提高信号质量的管芯端接

特殊功能支持

50/75/150欧姆ODT

高温自刷新率启用

-占空比校正器

自动和自刷新

刷新周期：

0℃≤TC≤+85℃时8192个周期/64ms（7.8μs刷新间隔）

+85℃＜TC≤+95℃时8192个周期/32ms（3.9μs刷新间隔）

SSTL_18接口

如果tCK<1.875ns，则设备无法支持带自动预充电功能的写入

封装：178 Ball BGA；

Max Freq：800MHz

Data Rate (Mb/s/pin)：1600

LPDDR3 SDRAM寻址.png

1.最低有效列地址C0不在CA总线上传输，并且暗示为零。

2.所有气缸组刷新的tREFI值均在温度规格范围内（TCASE<=85℃）。

3.CA总线上未使用的行和列地址值为“不在乎”。

M55D1G3232A-CDBG2Y功能框图.png

1.在空闲状态下，所有银行都已预充电。

2.在MRW进入CA训练模式或写入水平模式的情况下，状态机不会自动返回空闲状态。在这些情况下，需要额外的MRW命令来退出任一操作模式并返回空闲状态国家。请参阅“CA培训”或“写作水平”部分。

3.不允许终止脉冲。对于这些状态转换，必须在转换之前完成突发操作可能发生。

4.小心使用此图。它旨在提供可能的状态转换和控制命令的平面图他们，不是所有的细节。特别是，涉及多家银行的情况没有得到充分详细的记录。

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