M15F1G1664A–EFBG2S

产品型号：M15F1G1664A–EFBG2S

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C to +95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.5V

规格封装：96 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M15F1G1664A (2S) 8M x 16 Bit x 8 Banks DDR3 SDRAM

ESMT(晶豪科技)M15F1G1664A–EFBG2S芯片特点：

接口和电源

SSTL_15:VDD/VDDQ=1.5V（±0.075V）

符合JEDEC DDR3标准

8n预取架构

差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS）

DQ、DQs和DM的双倍数据速率

数据完整性

自动刷新和自刷新模式

省电模式

部分阵列自刷新（PASR）

掉电模式

信号完整性

用于系统兼容性的可配置DS可配置管芯端接

通过ZQ校准DS/ODT阻抗精度

外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）

信号同步

通过MR设置写入电平

通过MPR读取电平

可编程功能

CAS延迟（6/7/8/9/10/11/13/14）

CAS写入延迟（5/6/7/8/9/10）

加性潜伏期（0/CL-1/CL-2）

写入恢复时间（5/6/7/8/10/12/14/16）

突发类型（顺序/交错）

突发长度（BL8/BC4/BC4或8在飞行中）

自刷新温度范围（正常/扩展）

输出驱动器阻抗（34/40）

RTT_Nom（20/30/40/60/120）的模具终止

RTT_WR（60/120）的模具端接

预充电断电（慢/快）

不支持数据速率自动预充电写入2400Mbps

Max Freq：1066MHz

Data Rate (CL-tRCD-tRP)：DDR3-2133 (14-14-14)

M15F1G1664A–EFBG2S芯片介绍：

1Gb双倍数据速率3（DDR3）DRAM是实现高速操作的双倍数据速率架构。它是内部配置为八存储体DRAM。

1Gb芯片由8Mbit x 16个I/O x 8个存储体设备组成。这些同步设备实现了高速双倍数据速率一般应用的传输速率高达2133 Mb/sec/pin。

该芯片的设计符合DDR3 DRAM的所有关键特性，所有控制和地址输入都是同步的具有一对外部提供的差分时钟。输入被锁存在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）。所有I/O都以源同步方式与差分DQS对同步。

这些器件使用单个1.5V±0.075V电源运行，并采用BGA封装。

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