M15T1G1664A–DEBG2M

产品型号：M15T1G1664A–DEBG2M

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C to +95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：1.35V/1.5V

规格封装：96 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M15T1G1664A(2M) 1Gb x 16 Bit x 8 Banks DDR3(L) SDRAM

ESMT(晶豪科技)M15T1G1664A–DEBG2M芯片特点：

VDD=VDDQ=+1.35V（1.283V至1.45V）

向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V

差分双向数据选通

8n位预取架构

差分时钟输入（CK、CK#）

8家内部银行

数据的标称和动态管芯端接（ODT），

闪光灯和掩模信号

可编程CAS（读取）延迟（CL）

可编程CAS附加延迟（AL）

可编程CAS（写入）延迟（CWL）

固定爆破长度（BL）为8，爆破劈裂（BC）为4

（通过模式寄存器组[MRS]）

可选择的BC4或BL8即时（OTF）

自刷新模式

自刷新温度（SRT）

自动自刷新（ASR）

写入均衡

多用途寄存器

输出驱动器校准

Max Freq：933MHz

Data Rate (CL-tRCD-tRP)：DDR3(L)-1866 (13-13-13)

M15T1G8128A–EFBG2S芯片介绍：

1Gb双倍数据速率3（DDR3（L））DRAM是实现高速操作的双倍数据速率架构。它是内部配置为八存储体DRAM。

1Gb芯片由16Mbit x 8个I/O x 8个存储体设备组成。这些同步设备实现了高速双倍数据速率一般应用的传输速率高达2133 Mb/sec/pin。

该芯片的设计符合DDR3（L）DRAM的所有关键特性，所有控制和地址输入都是与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟（CK）的交叉点处被锁定上升和确认下降）。所有I/O都以源同步方式与差分DQS对同步。

这些器件使用单个1.35V-0.067V/+0.1V或1.5V±0.075V电源工作，并采用BGA封装。

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