M12L5121632A-6BIG2T

产品型号：M12L5121632A-6BIG2T

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：3.3V

规格封装：TSOP II

M12L5121632A (2T) SDRAM 8M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM Operation Temperature Condition -40°C~85°C

ESMT(晶豪科技)M12L5121632A-6BIG2T 芯片特征:

JEDEC标准3.3V电源

LVTTL兼容多路复用地址

四家银行运营

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（2和3）

-连拍长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交错）

所有输入均在以下值的正向边缘采样

系统时钟

突发读单写操作

DQM用于掩蔽

自动和自刷新

64ms刷新周期（8K周期）

所有无铅产品均符合RoHS标准

M12L5121632A-6BIG2T一般说明

该设备是536870912位同步高数据速率动态RAM，由4 x 8388608个字乘16位组成。

同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制。每个时钟周期都可以进行I/O事务。

工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备用于各种高带宽、高性能存储系统应用。

MaxFreq:166MHz

M12L5121632A-6BIG2T引脚配置（俯视图）.png

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