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EN25QX64A-104XBIP2CE

EN25QX64A-104XBIP2CE
产品型号:EN25QX64A-104XBIP2CE
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :64Mbit
电压-电源:2.7V-3.6V
规格封装:8-contact USON (4x3x0.55mm)
说明书:点击下载
其他介绍

ESMT(晶豪科技)EN25QX64A-104XBIP2CE芯片产品介绍:

EN25QX64A(2C)64MB 3V串行闪存,带4KB统一扇区

单电源操作

-全电压范围:2.7V-3.6V

 串行接口架构

-SPI兼容:模式0和模式3

64 M位串行闪存

-64兆位/8192千字节/32768页

-每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

-标准SPI:CLK、CS#、DI、DO、WP#、,

保持#/重置#

-双SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、,

保持#/重置#

-四路SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

高性能

-全电压范围

-单/双/四I/O的104MHz时钟速率

快速读取

-稳压范围:3.0-3.6伏

-133Mhz时钟速率,用于四路I/O快速读取

-专用于133MHz零件号

支持可发现的串行闪存

参数(SFDP)签名

低功耗

-6mA典型有功电流

- 1典型的待机电流

统一扇区架构:

-2048个4-KB扇区

-256个32K字节的块

-128个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护

-通过写入保护全部或部分内存软件

-使用WP#引脚启用/禁用保护

软件和硬件重置

高性能编程/擦除速度

-页面编程时间:典型0.5ms

-扇区擦除时间:典型值40ms

-典型的半块擦除时间为200ms

-块擦除时间通常为300ms

-芯片擦除时间:典型30秒

易失性状态寄存器位。

可锁定的3x512字节OTP安全扇区

写暂停和恢复

带换行的突发读取(8/16/32/64字节)

空白校验位

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

程序包选项

G = 8-pin 150mil SOP 

H = 8-pin 200mil SOP 

F = 16-pin 300mil SOP 

W = 8-contact VDFN / WSON (6x5mm) 

Y = 8-contact VDFN / WSON (8x6mm) 

XB = 8-contact USON (4x3x0.55mm) 

XH = 8-contact USON (4x4x0.45mm)

2CE = USON / WSON package without Expose metal pad

-所有无铅封装均符合RoHS标准,

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN25QX64A-104XBIP2CE一般说明

该设备是一个64兆位(8192K字节)串行闪存,具有高级写保护机制。 

该设备通过标准串行接口支持单比特和四位串行输入和输出命令外围接口(SPI)引脚:串行时钟、芯片选择、串行DQ0(DI)和DQ1(DO)、DQ2(WP#)和DQ3(保持#/重置#)。支持高达133MHz的SPI时钟频率,允许等效的时钟速率使用四路输出读取指令时,四路输出为532MHz(133MHz x 4)。记忆可以是使用页面程序指令一次编程1到256个字节。

该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意攻击编程和擦除操作。通过提供单独保护和取消保护块的能力,系统可以取消对特定块的保护,以修改其内容,同时保留内存阵列的其余块安全保护。这对于在子程序上修补或更新程序代码的应用程序很有用或基于模块,或在需要修改数据存储段而不冒风险的应用程序中程序代码段的错误修改。 

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。设备可以被配置为以软件保护模式保护存储器的一部分。该设备可以维持每个扇区或块上至少100K的编程/擦除周期。

EN25QX64A-104XBIP2CE引脚图.png



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