EN35QXR128A(2XC)

EN35QXR128A (2XC) 128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN35QXR128A(2XC)芯片特征

单电源操作

-全电压范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

-SPI兼容：模式0和模式3

128 M位串行闪存

-128兆位/16384千字节/65536页

-每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

-标准SPI：CLK、CS#、DI、DO

-双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1

-四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

-默认QE=1（四重启用），WP#，HOLD#禁用

高性能

-全电压范围

-单/双/四I/O的104 MHz时钟速率

快速读取

支持可发现的串行闪存

参数（SFDP）签名

低功耗

-12mA典型有功电流

- 1 µA典型的待机电流

统一扇区架构：

-4096个4-KB扇区

-512个32千字节的块

-256个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护

-通过软件写入保护全部或部分内存软件和硬件重置

高性能编程/擦除速度

-页面编程时间：典型值为0.5毫秒

-扇区擦除时间：典型值为40毫秒

-半块擦除时间：典型值为200毫秒

-块擦除时间：典型值为300毫秒

-芯片擦除时间：典型60秒

易失性状态寄存器位。

可锁定的3x512字节OTP安全扇区

写暂停和恢复

带换行的突发读取（8/16/32/64字节）

空白校验位

重放保护单调计数器（RPMC）

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

封装类型：

H = 8-pin 200 mil SOP 

F = 16-pin 300 mil SOP 

W = 8-contact VDFN / WSON (6x5 mm) 

Y = 8-contact VDFN / WSON (8x6 mm)

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN35QXR128A(2XC)芯片一般说明

该设备是一个128兆比特（16384K字节）的串行闪存，具有先进的写保护机制。 

该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（保持#/重置#）。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。

该设备还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意攻击编程和擦除操作。通过提供单独保护和取消保护块的能力，系统可以取消对特定块的保护以修改其内容，同时安全地保留内存阵列的其余块受保护的。这在子程序或模块上修补或更新程序代码的应用程序中很有用基础或在需要修改数据存储段而不会出现错误风险的应用程序中对程序代码段的修改。 

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是被配置为以软件保护模式保护部分存储器。该设备可以维持至少每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期。