EN25QH256A-104YIP2RCE

产品型号：EN25QH256A-104YIP2RCE

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：256Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-pin VDFN / WSON (8x6 mm)

说明书：点击下载

其他介绍

EN25QH256A (2RC) 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25QH256A-104YIP2RCE芯片特征：

单电源操作

–全电压范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

SPI兼容：模式0和模式3

256 M位串行闪存

–256兆位/32768千字节/131072页

–每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

–标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#，

保持#

–双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#，

保持#

–四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

–可配置的虚拟循环数

高性能

标准SPI的时钟频率为104MHz

–两个数据位的时钟频率为104MHz

–四个数据位的时钟频率为104MHz

低功耗

–6mA典型有功电流

– 1 典型的断电电流

统一扇区架构：

–8192个4-KB扇区

–1024个32千字节的块

–512个64KB的块

–任何扇区或区块都可以被擦除单独地

软件和硬件写保护：

–通过写保护全部或部分内存软件

–使用WP#引脚启用/禁用保护

高性能编程/擦除速度

–页面编程时间：典型值为0.5ms

–扇区擦除时间：典型值为40ms

–典型的半块擦除时间为120ms

–块擦除时间通常为150ms

芯片擦除时间：通常为100秒

3字节地址和4字节地址切换

易失性状态寄存器位

可锁定3x512字节OTP安全扇区

支持可发现的串行闪存

参数（SFDP）签名

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

Package Options

– 8 contact VDFN / WSON 8x6 mm

– 16 pins SOP 300mil body width

–所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN25QH256A-104YIP2RCE芯片一般说明

该设备是一个256兆位（32768K字节）串行闪存，具有高级写保护功能机制。该设备通过以下方式支持单比特和四位串行输入和输出命令标准串行外围接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO），DQ2（WP#）和DQ3（保持#/复位#）。存储器一次可以编程1到256个字节，使用页面程序指令。

通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其同时保持存储器阵列的剩余块受到安全保护。这在以下方面很有用在子程序或模块的基础上或在需要修改数据存储段而不存在出错风险的应用程序对程序代码段的修改。

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。这个设备可以被配置为以软件保护模式保护部分存储器。设备扫描在每个扇区或块上维持至少100K的编程/擦除周期；

EN25QH256A-104YIP2RCE引脚图.png