SD NAND Flash

SD NAND Flash是一种贴片式、高度集成的存储芯片。它本质上是将SD卡或TF卡的控制器和NAND闪存颗粒封装在一个小型贴片封装内，既有NAND闪存的高容量，又具备SD卡易用的标准接口和内置管理功能。

SD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash 等，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。

SD NAND存储芯片是一种重要的非易失性存储解决方案，广泛应用于嵌入式系统、移动设备和消费电子产品中。其高性能、高容量和可靠性使其成为存储数据、固件和应用程序的理想选择。

封装类型：SD NAND：采用LGA封装，如6x8mm、6.6x8mm和9x12.5mm等，适合直接焊接在PCB上。

容量：SD NAND的容量覆盖范围比SPI NAND更广，从几GB到几十GB不等。

速度：SD NAND在SD模式下的读写速度可以达到50MB/s，性能优于SPI模式。

性能：SD NAND由于内置了全套管理算法，在稳定度方面会好很多，特别是针对掉电保护这块。

寿命：SD NAND的擦写寿命可以达到5~10万次。

使用方式：SD NAND可以使用SD卡接口，且支持SPI模式和SD模式。

优缺点：SD NAND的优点是集成了错误校正码（ECC）校验、坏块管理等高级功能，但成本相对较高。

应用场景：SD NAND适用于需要高性能和大容量存储的应用，如消费电子设备、便携式媒体播放器，对可靠性要求较高的工业应用等。

MengXW(台湾盟鑫微)SD NAND Flash闪存芯片特点：

MESD01G/MESD02G/MESD04G SD NAND Datasheet

支持最高 50MHz 时钟频率

支持 1/4 位模式

内置硬件 ECC 校验引擎及高可靠性 NAND 闪存管理机制

写入速度最高达 Class 8 级别

采用小型化 LGA8 (8*6mm) (Land GridArray)封装

SD = 2.7V~ 3.6V SD2.0 NAND in package form

01G = 1Gbit (128MByte) 

02G = 2Gbit (256MByte) 

04G = 4Gbit (512MByte)

E= Extended（-30℃ to +85℃）

G = Green/Reach Package

Empty=Optional

ME =Mengxinwei

封装规格：

LGA8 (8*6mm) (Land GridArray)

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

MESD01G/MESD02G/MESD04G SD NAND Flash闪存芯片概述：

MengXW(台湾盟鑫微) SD NAND是一款采用 LGA8 封装形式的嵌入式存储解决方案，兼容标准协议运行。该SD NAND由NAND闪存芯片及高性能控制芯片组成，其NAND存储区域的供电电压要求为 3.3V。产品全面兼容 SD2.0 接口协议，可适配市面上大部分通用处理器。MengXW(台湾盟鑫微) SD NAND 兼具高性能、高性价比、高品质及低功耗的优势。

深圳市微效电子有限公司作为MengXW(台湾盟鑫微)SD NAND Flash代理商，以客户需求为导向，以创造客户最大价值为核心使命，致力于为客户提供更可靠的电子元器件供应及成本控制和技术支持为一体的综合服务商。代理产品有：SPI  NOR Flash、NAND Flash非易失性存储器、SD NAND Flash、MCU(8位、32位微控制器芯片)单片机、温度传感器芯片、多媒体SOC芯片、音视频编解码芯片、EEPROM电可擦除可编程存储芯片、电源管理芯片、车规系列芯片、电机控制芯片、TF CARD、芯片编带管装、IC代烧录服务等高科技领域中，为台湾、香港和大陆厂商提供专业营销及技术服务。产品广泛应用于：汽车电子、网络通讯、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、蓝牙音响、安防监控等领域。

本SD NAND 为完全兼容 SD2.0 标准的产品，相关协议请参考《SD 物理层规格书 V2.00》。