EEPROM

EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)是什么？

EEPROM是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory的缩写。它是一种可重写的存储芯片或存储器组件，在没有电源的情况下仍然能够保持存储的信息。这被称为非易失性存储器。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。

为了更好地理解这些芯片的功能以及EEPROM产品的应用领域，有助于分解其完整名称中的每个单词的含义：

可擦除的

当通过主板或其他适当的电子电路连接到电源（PSU）时，EEPROM模块中的存储内容可以被擦除（删除），可以完全擦除，也可以按独立的字节区域擦除。

可编程的

PROM，即可编程只读存储器，指的是在芯片安装到系统后，其内容可以被写入存储器的模块。

只读的

只读存储器（ROM和PROM）指的是专为长期存储不会动态变化的信息而设计的模块。

非动态数据包括大多数类型的用户文件、固件以及一些程序或代码，这些元素不打算定期自动更新。

类似于大多数ROM芯片，EEPROM模块提供非易失性功能。这意味着在断电状态下，即在安装EEPROM的设备或计算机关闭并重新启动后，仍然可以检索存储在芯片上的任何信息。而RAM（随机存取存储器）则不具备这种功能。RAM是设计用于执行动态任务而非长期信息存储的，而且在其恢复为断电状态时会被立即清除。

简而言之，EEPROM是一种存储模块，当安装在计算机或其他电子设备中时，可以用来保存、检索和删除信息。

EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。编程写入时，芯片通过Vpp（一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。

EEPROM 组件的类型：序列式EEPROM跟并行式EEPROM；

FMD辉芒微电可擦除可编程存储（EEPROM）芯片产品介绍：

2005年推出了全系列的EEPROM产品，是最早的国产品牌之一；

公司具备工艺和器件开发能力，依托晶圆厂工艺平台大规模生产优性能和低成本芯片，拥有业内最小尺寸的2Kbit产品；

产品广泛应用于家电、网通、医疗、工控等通用领域，以及内存条、服务器、摄像头等专用领域；

已通过AEC Q100认证的车规级芯片满足更多高可靠性的应用要求；

辉芒微EEPROM芯片特点：

低电压、低功耗运行：FT24XXX、FT93CXX、 FT25CXX 的电源电压（VCC）范围为 1.7V 至 5.5V

支持 32 字节页写模式

允许执行部分页写操作

配备标准双线双向串行接口

具备施密特触发器及滤波输入功能，可实现噪声防护

自定时写入周期（最大 5 毫秒）

兼容性：1000kHz（电压 2.5V-5V 时）、400kHz（电压 1.7V 时）

写入操作前自动执行擦除

设有写保护引脚，可实现硬件级数据保护

高可靠性：典型擦写寿命达 1,000,000 次

数据保存期限长达 100 年

工作温度范围覆盖工业级（-40°C 至 85°C）

提供标准封装的绿色环保版本，包括SOP8，WLCSP，TSSOP8，DIP8，UDFN8，SOT23-5，MSOP8，TSOT23-5，DFN8封装

eeprom i2C接口、3-wire接口、SPI接口

辉芒微EEPROM芯片推荐选型表：