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旺宏电子

NOR Flash


NOR Flash定义

NOR Flash是一种支持并行访问的非易失性存储器,具有随机存取能力。它主要用于存储程序代码、启动引导程序等关键数据,并以读取速度快、稳定性高而著称。

NOR Flash工作原理

NOR Flash的基本工作流程如下:

存储单元:每个存储单元可保存一位或一字节信息。

读取操作:控制器通过地址线选中对应存储单元,并将数据输出至数据线。

编程与擦除:写入前需先进行擦除,擦除一般以块为单位执行,之后方可编程写入新数据。

MXIC台湾旺宏电子NOR型快闪记忆体

Macronix 设计和制造 3V、2.5V 和 1.8V 串行 NOR 闪存产品,容量从 512Kb 到 2Gb 不等。我们还提供向下兼容的高性能串行NOR闪存、MXSMIO®(多I/O)系列和MXSMIO®双工(DTR)系列。

标准串行接口:MX25xxx06系列

默认锁保护:MX25xxx26系列

MXSMIO®(多输入输出):MX25/66xxx33/35/36/39系列

MXSMIO®(多输入输出)双工(DTR):MX25/66xxx43/45/85系列

MXSMIO®(多输入输出),四输入输出永久启用:MX25xxx73系列

永久锁定:MX25/66xxx55/56系列

Macronix台湾旺宏电子提供高质量、创新且性能驱动的产品,非常适合从计算、消费、网络、工业到移动、嵌入式、汽车和物联网(IoT)等多样化应用。

深圳市微效电子有限公司作为mxic台湾旺宏电子股份有限公司NOR FLASH芯片一级代理商,提供一站式电子元器件采购、技术及服务支持,Macronix旺宏电子主要产品:NOR Flash芯片和NAND Flash芯片、e.MMC記憶體ArmorFlashLybraFlashROM唯讀記憶體晶圓代工等等,让客户享受到高性价比的电子元件,还能得到一定的产品附加值,大量现货,保证正品!

串行NOR闪存产品组合

2.5/3V 串行 NOR 闪存

2Gb、1Gb、512Mb、256Mb、128Mb、64Mb、32Mb、16Mb、8Mb、4Mb、2Mb、1Mb、512Kb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX66L2G45GProduction,for new design2.7V-3.6V166(x1, x2);133(x4)DTR
QPI
Suspend/Resume
Advanced Protection
H/W Reset
24-TFBGA(5x5)
300mil 16-SOP
Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

1.8V Serial NOR Flash

2Gb、1Gb、512Mb、256Mb、128Mb、64Mb、32Mb、16Mb、8Mb、4Mb、2Mb、1Mb、512Kb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX66U2G45GProduction,for new design2.7V-3.6V166(x1, x2);
133(x4)
DTR
QPI
Suspend/Resume
Advanced Protection
H/W Reset
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

MX66UM2G45GProduction,for new design2.7V-3.6V133(x1, x8)8 x I/O
DTR
Suspend/Resume
Burst Read
Advanced Protection
H/W Reset
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

MX66LM2G45GUnder Development2.7V-3.6V133(x1, x8)8 x I/O
DTR
Advanced Protection
ECC
CRC
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

MX66UM2G45GProduction,for new design2.7V-3.6V133(x1, x8)Permanent 4 I/O
Permanent 4-Byte
Default 10 Dummy
DTR
Password Protection
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

Wide Range Serial NOR Flash


64Mb、32Mb、16Mb、8Mb、4Mb、2Mb、1Mb、512Kb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX25R6435FProduction,for new design1.65V-3.6V80(x1, x2, x4)Multiple Bank
Ultra Low Power
Suspend/Resume
Burst Read
H/W Reset
4x3mm 8-USON
4x4mm 8-USON
6x5mm 8-WSON
200mil 8-SOP
22-WLCSP
Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

1.2V 串行 NOR 闪存

256Mb、128Mb、64Mb、32Mb、16Mb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX25S25645GProduction,for new design1.1V-1.6V133(x1, x2, x4)DTR
QPI
L/H Switch Bit
ECC
CRC
24-TFBGA(5x5)
8x6mm 8-WSON 3.4x4.3EP
6x5mm 8-WLGA
Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

MX77S25655GUnder Development1.14V-1.3V133(x1, x8)DTR
QPI
Suspend/Resume
RPMC
Permanent Lock
6x5mm 8-WSON
8x6mm 8-WSON 3.4x4.3EP
300mil 16-SOP
Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃


八总线存储器

OctaBus 内存提供可扩展的输入输出能力,高效地扩展我们的串行 NOR 闪存吞吐量。它致力于提升产品性能,采用最快的200MHz频率,并结合DTR功能。

新一代Macronix OctaBus内存是一套基于串行外设接口(SPI)和命令协议构建的极速内存产品组合,提供可扩展的输入输出能力。将现有的四输入输出扩展到八闪闪(8 I/O),将高效拓宽我们的串行NOR闪存吞吐量。Macronix OctaBus 内存(8 I/O)还保留了与普通单I/O 串行NOR闪存兼容的用户界面,能够以最小的努力维持用户使用串行NOR闪存的体验。

这一突破性产品将闪存和内存集成在同一条数据I/O总线中,将引脚数减少到12个。基于OctaBus ™的内存设计支持OctaFlash、OctaRAM ™和OctaMCP™产品,这些都是高性能、低引脚数的解决方案。

LM/UM 系列致力于提升产品性能,采用最快的 250MHz 频率,并结合 JEDEC(JESD251-xSPI 标准的 DDR,8D-8D-8D)模式。因此,数据传输速率从现有的100MB/s四联I/O串行NOR闪存提升至500MB/s,同时读取延迟也大幅降低。性能提升将帮助系统更高效地在OctaFlash上运行eXecute In Place(XIP),并在高密度环境中缩短访问时间,从而加速整体系统性能。

LW/UW 系列是一种基于超高性能 OctaBus 接口的多银行架构;提供并发运行能力,在数据更新的同时提升系统性能。它是空中(OTA)更新应用的理想解决方案,这些应用在汽车和物联网解决方案中日益普及。

主要特征:

支持3V/1.8V工作电压

JEDEC(JESD251-xSPI)兼容

STR(1S-1S-1S)和DDR(8D-8D-8D)模式支持

LM/UM系列

最高可达250MHz时钟频率,同时支持DDR和STR作

LW/UW系列

多银行架构

支持并行行动

汽车功能安全证书

ISO 26262 ASIL B 合规

ISO 26262 ASIL D 就绪


3v OctaFlash


2Gb、1Gb、512Mb、256Mb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX66LW2G45GUnder Development2.7V-3.6V133(x1,x8) 8 x I/O
Multiple Bank
DTR
RWW
Suspend/Resume
Advanced Protection
H/W Reset
6x8mm 24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

1.8V OctaFlash


2Gb、1Gb、512Mb、256Mb、128Mb、64Mb
Part No.StatusVccFrequency, MHzKey FeaturesPackagesTemperatureDatasheet
MX66UM2G45GProduction,
for new design
1.65V-2V133(x1,x8)8 x I/O
DTR
Suspend/Resume
Burst Read
Advanced Protection
H/W Reset
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃

MX66LM2G45GUnder Development1.65V-2V133(x1, x8)8 x I/O
DTR
Advanced Protection
ECC
CRC
24-TFBGA(5x5)Industrial Grade (I)
-40℃ to +85℃


广域VCC闪光灯


MX25R 产品系列支持标准串行 NOR 闪存接口。其功耗极低,比传统产品低60%,并配备宽范围的Vcc(1.65V-3.6V),从而延长了电池寿命。


串行NOR闪存


作为全球串行NOR闪存的领导者,Macronix致力于开发全面的产品组合,以满足高性能、可靠性质量、低引脚数和小型机箱的需求。


并行NOR闪存


Macronix 并行 NOR 闪存为客户提供低功耗、高耐久性和可靠性的性价比、高性能产品。


1.2V 串行 NOR 闪存


随着对健康监测、蓝牙连接、物联网、可穿戴设备和移动互联网设备等低功耗应用的需求,系统工程师将需要低电源电压的内存来简化设计。


mxic旺宏3D NOR Flash:重塑儲存未來,開啟創新可能

3D NOR:突破次元限制,實現高性能與長久耐用

傳統的NOR Flash結構採用平面佈局,導致細胞密度受限。旺宏的3D NOR技術則採用垂直堆疊結構,將記憶單元層層向上堆疊,大幅提升儲存密度,同時兼顧高速讀寫速度和高循環壽命。

優勢一:高速讀寫,加速應用體驗

3D NOR Flash擁有比傳統NOR Flash更快的讀寫速度,可有效縮短資料存取時間,提升系統效能。對於需要快速反應的應用場景,例如工業控制、物聯網設備和汽車電子等,3D NOR Flash都能提供優異的性能表現。

優勢二:超長循環壽命,可靠耐用

3D NOR Flash的垂直堆疊結構讓單一記憶元件承受的寫入壓力降低,有效延長其循環壽命。相較於傳統NOR Flash,3D NOR Flash擁有更長的資料保存時間和更高的可靠性,適合需要長期穩定運作的應用場景。

優勢三:低功耗設計,節能環保

旺宏的3D NOR Flash採用先進的低功耗設計,降低資料讀寫時的能源消耗。這對於移動設備和物聯網應用來說尤為重要,有助於延長電池續航時間,實現更節能的運作模式。

應用廣泛,赋能未來科技發展

旺宏3D NOR Flash技術的應用範圍極其廣泛,涵蓋:

工業控制: 高速讀寫和高可靠性使其成為工業設備控制系統的理想選擇。

汽車電子: 3D NOR Flash可用于車載娛樂系統、駕駛輔助系統等,提供更快速、更穩定的資料存取。

物聯網設備: 低功耗設計和高密度特性使其適合應用於智慧家電、可穿戴裝置等物聯網設備。

數據中心: 3D NOR Flash可以作為快取記憶體或資料備份,提升數據處理效率和資料安全。

展望未來:持續創新,引領產業發展

旺宏電子一直致力於3D NOR Flash技術的研發和創新,不斷提升產品性能和功能。未來,旺宏將繼續擴大3D NOR Flash的應用範圍,為更多產業領域帶來創新解決方案,推動科技發展邁向更美好的明天。

2337旺宏 3D NOR Flash 整理 Qu0026A

旺宏主要生產非揮發性記憶體 (Non-volatile memory, NVM) 元件,包含NOR Flash、NAND Flash等。近年來,旺宏積極投入3D NAND Flash研發,並於2021年正式量產3D NOR Flash產品,在市場上佔據一定地位。

3D NOR Flash: 適用於物聯網、汽車電子等領域,具有高可靠性、低功耗的特性。

NOR Flash: 廣泛應用於嵌入式系統、車用設備、工業控制等,並提供多種容量和速度規格選擇。

旺宏在記憶體市場中佔據一定份額,尤其在3D NOR Flash領域擁有較佳競爭力。


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